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公开(公告)号：CN103539460A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310448710.6
申请日：2013-09-28
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，属于无机非金属材料领域。本发明特征在于以回收硅片切割锯屑作为原料，无需任何添加剂高温氮化直接合成氮化硅粉体，制备的β相氮化硅粉体纯度高，Fe杂质含量 93%，氧含量
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公开(公告)号：CN101491888A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910114992.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种太阳能光伏领域的硅片线锯工艺产生的砂浆中的硅与碳化硅的粉体分离技术，特别是采用泡沫浮选方法分离硅与碳化硅。该分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法的步骤如下：向从硅片线锯工艺产生的砂浆中加入处理剂，按重量配比为砂浆100－1000份：处理剂100－1000份；将砂浆与处理剂搅拌均匀，沉降分为三层，分别收集上层的碳化硅和下层的硅粉；中间为液体层。处理剂包括溶剂和表面改性剂按比例混合而成，混合比例为重量百分比99－70％的溶剂，1－30％的表面改性剂。采用本发明收集的硅粉中残存的碳化硅少于0.5％体积百分比，砂浆中剩余的硅少于10％体积百分比。
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公开(公告)号：CN119502504A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411688726.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 江西民强新材料技术有限公司 , 南昌大学 , 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: B32B27/28 , B32B27/02 , B32B27/12 , B32B27/20 , B32B33/00 , B32B7/12 , D04H1/728 , D04H1/4326 , B29D7/01 , C08L79/08 , C08K7/26
Abstract: 本发明涉及一种聚酰亚胺基复合隔热薄膜叠层材料结构及其制备方法，包括交联黏合的聚酰亚胺隔热基膜及聚酰亚胺隔热纤维膜，所述聚酰亚胺隔热基膜背对所述聚酰亚胺隔热纤维膜的一侧沉积有金属反射层。本发明的聚酰亚胺隔热纤维膜虽具有较佳的隔热效果，但力学性能较差，并存在大量的孔隙，且将聚酰亚胺隔热基膜设计在叠层结构中，使其作为叠层结构的力学支撑层以及气密层，可有效解决聚酰亚胺隔热纤维膜所存在的力学性能差、热对流防护不佳的问题，具有丰富孔隙结构的聚酰亚胺隔热纤维膜设计在叠层结构中，可大幅降低复合薄膜叠层材料的热导率，另外通过在叠层结构中设计金属反射层，可起到良好的辐射热防护的作用。
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公开(公告)号：CN118206783A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410227058.3
申请日：2024-02-29
Applicant: 南昌大学共青城光氢储技术研究院 , 江西民强新材料技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法与应用，涉及聚酰亚胺薄膜制备技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：将二胺与二酐在极性非质子溶剂缩聚制得聚酰胺酸胶液；将无机纳米氮氧化硅粉末进行表面改性制得改性填料；将所述改性填料以质量比0.1‑2.0％添加至所述聚酰亚胺胶液搅拌分散制得复合胶液；将所述复合胶液涂覆成膜后干燥并亚胺化处理制得聚酰亚胺薄膜。本发明通过引入改性填料能够在聚酰亚胺体系中形成良好的界面结合，改善聚酰亚胺薄膜的综合性能，有效提高薄膜的耐热性、力学性能和柔韧性，并降低线性膨胀系数。
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公开(公告)号：CN115368734B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211038777.8
申请日：2022-08-29
Applicant: 南昌大学共青城光氢储技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种高导热聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，将二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳分别在含有表面改性剂的醇水溶液中浸润改性、过滤、干燥，获得表面改性的二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳；将经表面改性的二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳按一定配比加入聚酰亚胺前驱体—聚酰胺酸胶液中，经充分混合均匀、过滤、真空脱泡、涂覆成膜和高温亚胺化等工序，制备高面外导热率的聚酰亚胺复合薄膜。二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳的复合添加，可在聚酰亚胺复合薄膜材料中构筑三维热传导通路，在改善聚酰亚胺薄膜面内导热率的(56)对比文件Chen Yuanpeng等.Growth andcharacterization of porous sp2-BN filmswith hollow spheres under hydrogenetching effect via borazane thermal CVD.《Applied Surface Science》.2018,第452卷314-321.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110459621B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910680382.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种取代低温银浆制备太阳电池电极栅线的焊膏及其制备方法。该焊膏以质量份数计包括：低熔点合金粉体165‑185份、有机粘接剂4‑8份、助焊剂1‑4份；所述的合金粉体，以质量百分比计包括锡45‑65％、铋3‑25％、铅0‑40％、铟0‑25％。本发明采用能够与ITO透明导电膜表面接触和附着良好的低温焊料，所获得的焊膏能取代低温银浆的栅线材料，其导电率显著高于相同温度条件下烘烤的银浆栅线。本发明以丝网印刷方法在电池表面印制栅线电极，以钎焊方法实现栅线在电池表面的熔融凝固附着，在基本不改变生产线设备和工艺的条件下取代银浆。
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公开(公告)号：CN111170746B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010038702.4
申请日：2020-01-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种空气气氛下制备氮氧化硅粉体的方法。该法以硅粉为原料，通过将不同粒径和厚度的硅粉堆积体，在常压高温条件下进行氮氧化合成，再除去上层微烧结态及少量边部产物后，得到氮氧化硅粉体成品。本发明相对现有技术，不但使得氮氧化反应生成的氧化硅、氮化硅等杂相易与氮氧化硅分离，从而大幅度提高产品纯度，而且收得率也非常高，再者利用常压空气作为氮、氧源，节约成本，使得该制备方法，工艺简单，易于操作，成本低廉，适合于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN105870434B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201610388142.9
申请日：2016-06-06
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种硅粉掺杂的方法，包括如下步骤：依次采用丙酮、氢氟酸和超纯水对硅粉原料进行清洗；然后将清洗后的硅粉和磷粉置于保护气氛下进行热处理，使磷粉气化从而在磷的气氛下对硅粉进行掺杂，起到提高硅粉导电率的目的。本发明工艺简单、成本低廉、硅粉导电性可控，非常适合大规模产业化生产，有望在锂离子电池、光电材料及传感器等领域得到很好的实际应用。
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公开(公告)号：CN110357051A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910617315.3
申请日：2019-07-09
Applicant: 南昌大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明提供了一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法，属于一维纳米材料的制备技术领域。一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法，将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气，在氧辅助生长机制下反应生成长径比5-50的单晶α相氮化硅纳米晶须。本发明工艺简单，无任何添加剂，可以一步制备单晶α相氮化硅纳米晶须。
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