-
公开(公告)号：CN116314529A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211546929.5
申请日：2022-12-05
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法，所述LED芯片至少包括：P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层，介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率，对其余波长的光具有高反射率，从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜，将侧壁出射的光反射回LED芯片，减少侧壁出光的光串扰效应，同时提高正面出光效率。本发明的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽，提高了发光方向性，减小了光串扰。
-
公开(公告)号：CN116314517A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310217081.X
申请日：2023-03-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法，在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。本发明可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。
-
公开(公告)号：CN115692552A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211141166.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。
-
公开(公告)号：CN115425132A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211180370.9
申请日：2022-09-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高显示对比度的垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，此LED芯片的结构从下至上依次包括：支撑基板、邦定层金属、P型反射电极层、半导体层和N型电极；半导体层包括P型半导体层、量子阱发光半导体层、N型半导体层；其中，半导体层被隔离为发光区域和不发光区域的两种功能区域，两个区域均与底部P型反射电极层连通，仅发光区域的N型半导体层上具有N型电极，且两种功能区的N型半导体层的均为相同材料和相同的表面粗化结构。此器件结构和制备方法工艺简单、成本低，通过保留与通电发光区域相同材料和相同粗化结构表面的不发光区域的半导体层，可明显提高芯片发光的环境对比度，获得高对比度的垂直结构GaN基LED显示芯片。
-
公开(公告)号：CN113921677A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111158607.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113445005A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110555105.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。
-
公开(公告)号：CN113437194A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110575377.X
申请日：2021-05-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。
-
公开(公告)号：CN112909143A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110152719.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，该方法包括AlGaInP薄膜外延层的生长和N面出光的垂直薄膜结构LED芯片的制造；芯片制造主要包括P面钝化层的制备、P电极制备、外延层由衬底转导电基板的转移、腐蚀截止层去除、n型欧姆接触层的图形化、外延层的图形化、pn结钝化层制备与图形化、N电极制备和表面钝化层的制备与图形化，以及芯片切割。本发明可用于指示、显示等领域，相对于目前采用光遮挡片实现特定发光图形的方案，本发明具有更加节能、发光图形效果更好和图案更丰富等优势，且有利于批量生产。另外，本发明还可以在同一颗LED芯片上实现对多个分离的发光图形的独立控制。
-
公开(公告)号：CN112909137A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110086236.1
申请日：2021-01-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于可见光通信的LED芯片结构，通过电极线密布排列将常规尺寸的LED芯片分隔成若干个小尺寸的子区域，缩短电流注入路径距离，使电流分布更加均匀，从而提高耐受电流密度，在保证较高光输出功率的同时实现器件的快速调制。并且整个制造流程建立在相对成熟的常规尺寸LED芯片工艺基础上，具有器件调制能力优异、电极线密布排列、多焊盘、制造方法简单、光通量大、工艺成本低等优点，有利于光通信LED芯片的规模化制作，在照明与通信一体化的可见光通信领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112466795A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011243161.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/677 , H01L33/00 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro LED发光单元的阵列；S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底，制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列，获得转移衬底；S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料；S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料；S5将S1获得的Micro LED发光单元，一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底，去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接；S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀，微坑填入热塑性层形成弱连接结构，实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.023 seconds)
