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公开(公告)号：CN114994483A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210379063.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件总剂量辐射试验装置与方法，包括与控制模块连接的真空试验箱、辐射应力模块与温度应力模块，被试验器件设置于真空试验箱；控制模块根据被试验器件的器件类型获取被试验器件所需的预设总剂量辐射应力与预设温度应力，并根据预设总剂量辐射应力输出辐射试验指令至辐射应力模块，根据预设温度应力输出温度试验指令至温度应力模块；辐射应力模块根据辐射试验指令对被试验器件进行总剂量辐射试验；温度应力模块根据温度试验指令对被试验器件进行高低温试验，为复杂辐射环境下的半导体器件提供更准确的地面模拟评估试验环境，避免过高估计其在复杂辐射环境下的寿命而导致使用时提前进入磨损期，发生性能参数异常与失效。
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公开(公告)号：CN113484894A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110654439.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T1/16
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测量方法，包括对粉末样品进行定型制样；分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率；对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试，根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率，获得所述粉末样品的α粒子发射率。通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样，来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。所述方法排除了试验设备对测试结果的干扰，解决了粉末样品α粒子发射率测试难题的同时还提高了试验准确度。
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公开(公告)号：CN111781219A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010662578.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/00
Abstract: 本申请涉及一种大气中子辐射效应测试系统以及方法。其中，大气中子辐射效应测试系统包括样品台设备、信号输入设备、测试设备以及分析设备。样品台设备包括试验样品台以及控制模块，试验样品台用于放置电子系统，控制模块用于控制试验样品台运动。分析设备根据测试设备的测试结果分析被测器件的大气中子辐射耐受能力。因此，本申请大气中子辐射效应测试系统以及方法可以对电子系统的组成器件进行大气中子辐射耐受能力分析。同时，样品台设备可以带动电子系统运动，进而使得大气中子辐射效应测试系统在同一试验过程中对多个被测器件进行切换测试。因此，本申请的大气中子辐射效应测试系统以及方法可以有效提高电子系统的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN111737935A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010613779.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/33 , G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种功率器件失效率评估方法、计算机设备以及存储介质。功率器件失效率评估方法包括：获取重离子的阈值能量；模拟沉积能量大于或者等于阈值能量的重离子入射至待测态功率器件的过程，确定功率器件的敏感区域；模拟辐射粒子入射至待测态功率器件而产生次级重离子的过程，获取辐射粒子产生的进入敏感区域的次级重离子的沉积能量；根据进入敏感区域的次级重离子的沉积能量与阈值能量的关系，获取待测态功率器件发生单粒子烧毁事件的次数；根据单粒子烧毁事件的次数，评估辐射粒子导致待测态功率器件的失效率情况。本申请可以有效降低测试成本。
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公开(公告)号：CN111693838A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010405988.5
申请日：2020-05-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置，该试验方法包括如下过程：提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件，进行第一电参数测试，获取其第一阈值电压；对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量，在每次辐射处理后均进行第二电参数测试；对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理，然后进行第三电参数测试，获得第三阈值电压；根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法，其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大，传统技术无法准确分析的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109639237B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811546145.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，通过获得多结太阳电池中各子电池的电容和总电容；在不同的温度下对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T1；在不同的温度下对多结太阳电池进行不同波长光脉冲激发的DLTS测试，并获得太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T2......Tn；分别将T1......Tn两两对比可以区分不同子电池中的深能级陷阱，从而实现多结太阳电池各个子电池深能级陷阱的分离。
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公开(公告)号：CN110108966A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910467249.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种辐射效应测试板、系统、获取连接线长度的方法及装置，所述辐射效应测试板包括子板、母板以及连接线；连接线连接在子板与母板之间；连接线用于在辐射效应测试过程中将子板和母板分隔与连接线长度相等的距离；其中，连接线的长度为根据在辐射效应测试过程中母板相对于中子束流的有效截面积、中子源靶心处的中子通量、母板处于中子束流辐照下的辐照时长以及母板受到的总中子通量确定；从而，实现将本申请辐射效应测试板的子板与母板进行分离，避免了在对待测器件进行辐射效应测试的过程中，因中子束流辐照到母板上的敏感器件而造成的对待测器件辐射效应测试的干扰，进而，提高了测试待测器件的辐射效应的准确度。
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公开(公告)号：CN110045205A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910341901.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁限制电流测试方法、装置和系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，以单粒子闩锁维持电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流；记录在各输入电流下、待测器件退出单粒子闩锁效应的所用时长；并根据各输入电流和所用时长，建立待测器件处于当前离子束辐照中的电流时长曲线；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的电流时长曲线；根据各电流时长曲线和待测器件的可容忍中断时长，获取待测器件处于各种离子束辐照中对应的极限电流，并将各极限电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁限制电流，从而，本申请提高了测试单粒子闩锁限制电流的准确度。
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公开(公告)号：CN109639237A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811546145.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，通过获得多结太阳电池中各子电池的电容和总电容；在不同的温度下对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T1；在不同的温度下对多结太阳电池进行不同波长光脉冲激发的DLTS测试，并获得太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T2......Tn；分别将T1......Tn两两对比可以区分不同子电池中的深能级陷阱，从而实现多结太阳电池各个子电池深能级陷阱的分离。
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公开(公告)号：CN119830816A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510308756.0
申请日：2025-03-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/30 , G06F17/16 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14 , G06F119/16
Abstract: 本申请涉及汽车芯片技术领域，公开了一种基于多失效机理竞争失效的汽车芯片可靠性评估方法，该方法包括开展单失效机理评估试验得到加速因子及失效率、构建加速因子矩阵和失效率矩阵计算占比系数矩阵、构建多机理竞争失效矩阵计算综合失效率及平均寿命时间以评估其可靠性。本申请，实现了全面考虑多种失效机理的竞争关系，通过科学合理的试验和计算方法，能够准确评估汽车芯片在复杂应力环境下的综合失效率和平均寿命时间，有效克服了传统单独评估各失效机理的局限性，为汽车芯片可靠性评估提供了更精准、更符合实际工况的评估手段，满足汽车行业对芯片可靠性评估的严苛要求，提升了汽车芯片在设计、生产及应用环节的可靠性保障水平。
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