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公开(公告)号：CN1438709A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03105078.6
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种有源选址前置彩色膜有机白光二极管彩色显示器及制备方法，它包括多晶硅薄膜晶体管、高温彩色膜、彩色膜上沉积的低温透明导电薄膜与有机白光薄膜二极管构成。该彩色显示器的制备不需要精密蒸发掩膜和上盖板与下基板的精密对位，使用高效的常规结构的有机白光二极管就可获得较高密度的彩色显示屏，从而降低了制造成本，增加了产率和质量。是彩显手机、掌上电脑屏及其它显示器的优选器件。
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公开(公告)号：CN101894744B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010197397.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/312
Abstract: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN102208434A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110102863.6
申请日：2011-04-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED，公共电源供给线由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与其连接。本发明的优点：在相同显示面积和亮度时，网状电极的电极总功率耗散为梳状电极的16.1％；在相同显示面积和亮度时，网状电极其电极最大直流电压降为梳状电极的27.3％，这对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降提供了有效的方法。
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公开(公告)号：CN101183512B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200710060377.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有3m个TFT开关自左向右构成n组，同一像素的三个子像素所连的TFT在同一组，将每组含有的3m/n个TFT的栅极相连，对外有n条控制线与控制电路相连；控制电路部分有译码器、模拟多路选通器、模拟灰度级电压产生电路、电压反转电路、电位选择器。本发明的控制电路通过电位选择器在多个灰度级电压中进行选择，将适当的电压传输到显示屏基板，集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程，将前级传输过来的数据写入LCD像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的LCD显示屏提供了一种更为经济实用的数据驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101724901A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910244845.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561321C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200510014464.9
申请日：2005-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/1368 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种在大面积玻璃衬底上制备大面积全集成型多晶硅TFT有源基板和多个小面积有源基板的技术。通过双边垂直设置驱动电路的方法，采用电路外延交叉点为有源岛形成的对准基点设计方法，与电路长边等长的连续诱导口和ITO掩盖层，来实现MILC多晶硅TFT的电路与MIC多晶硅TFT的矩阵的有机集成，从而避开由于在晶化过程中玻璃衬底收缩所造成的后道加工掩膜板对准错位的问题。采用该项技术，可制备出高质量的多晶硅TFT电路的全集成系统。该项技术为用于大面积衬底流片的工业化生产技术。
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公开(公告)号：CN101404142A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810152752.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32 , H01L27/32 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种电流镜型TFT－OLED显示像素单元电路，包括有：四个多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4、一个有机发光二极管OLED、一个电容Cs，该T3、T4管完全对称，由T3、T4构成一个电流镜，T1、T2作为开关管，行扫描信号加在这两个管的栅极，以控制数据电流的通断，电容Cs以电压形式存储显示数据，其两端的电压加载到T4的栅极上，以驱动OLED发光，所述多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4均为P沟道器件。本发明还提供了高质量镜像TFT管的横向晶化或激光晶化制备方法。本发明可以提高组成镜像流的TFT管的器件特性的一致性与精确性，可以提高OLED屏的图像响应速度、图像灰度级和画面显示质量。
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公开(公告)号：CN101179013A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710150842.5
申请日：2007-12-10
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用。采用镍硅混合物靶，在氩氧混合气体中溅射形成低镍含量的氧化镍和氧化硅混合薄膜作金属诱导横向晶化诱导源。由于镍以氧化物状态存在，并以较低含量混合在氧化硅中，因此，除靠近非晶硅和金属诱导层界面处的镍可较快地扩散到硅膜之中，后面的镍则以非常缓慢的速度释放到硅膜中。表面镍原子数量与混合物薄膜的厚度无关，因此，即使其厚度不均匀及批次间厚度出现变化，晶核和诱导前锋的形成状态却是基本相同的。在随后的横向晶化过程中，缓释的镍不断补充晶化前锋所需的镍。使用该技术可在保持适当的晶化速率前提下，有效地减少了多晶硅中镍的残余量，提高了多晶硅材料和器件的均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN1738061A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510014465.3
申请日：2005-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法。采用催化金属镍在选择晶化区域的低温氧化硅覆盖层下覆盖的非晶硅薄膜上形成周边晶化的多晶硅岛，并选择多晶硅岛的适当位置形成金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管的沟道。将各种金属诱导的多晶硅材料进行了优化使用，既可获得高性能的多晶硅TFT器件，明显的减少晶化的时间，有效的减低衬底收缩和衬底中金属离子扩散的影响，提高制备产率。该技术适合与制备低温多晶硅电路、低温多晶硅显示器有源选址基板，以及面阵图象传感器等多种微电子和光电子产品的制备，是具有重要产业应用价值技术。
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公开(公告)号：CN2634585Y
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03239875.1
申请日：2003-03-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型涉及硅上液晶显示，尤其是一种硅上液晶场序彩色显示控制器，属于液晶显示技术领域。由于硅上液晶(LCoS)技术和场序彩色显示技术的发展，目前采用通用电路和可编程逻辑器件组成的液晶显示接口控制技术，不能满足微型显示的要求，特别是对于近眼显示，控制器外加存储器的设计方案是影响系统微型化的关键问题。因此我们提出内置存储器的设计方法，采用全定制设计方法，将存储器和场序显示控制器集成在一起，该显示控制器可以处理红绿蓝各8位的数字视频输入信号，可以驱动SVGA分辨率的场序彩色模式的LCoS芯片。实现了的近眼显示系统的微型化。
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