一种基于氧化铪/氧化锌射频开关的移相器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118825582A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410956326.5

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铪/氧化锌射频开关的移相器及其制备方法,移相器以硅基晶片为载体,以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层,用以氧化铪作为射频开关的阻变材料,包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、氧化铪层、银层、氮化钛层、镍层、铜层,串联多个相同长度传输线的射频开关,并对串联后的结构设计一个控制电路,用于生成并发送控制信号,实现移相器进行多相位移动的功能。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备移相器,制备方法工艺简单,成本低。制备的移相器具有优异的性能和良好的应用前景。

    基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关

    公开(公告)号:CN116827327A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310771941.4

    申请日:2023-06-27

    Abstract: 本发明公开基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关,属于基本电子电路的技术领域。该非对称开关包括:第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口,第一开关臂在其包含的开关管关断时存在并联谐振,多个T型双模谐振电路组成的第二开关臂与接在两个开关臂输入端的耦合电容并联谐振,通过设计第一开关臂的耦合电感不大于第二开关臂的耦合电感,实现发射通道大耦合系数,即实现低TX损耗的同时实现宽带化,利用T型电感耦合谐振电路的拓扑,在相同尺寸下实现更高的RX隔离度和更宽的带宽。

    一种基于非周期复合左右手结构的低损耗片上传输线

    公开(公告)号:CN115799789A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211336079.6

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于非周期复合左右手结构的低损耗片上传输线,涉及射频集成电路设计技术领域,包括第一射频端口、第二射频端口、M个串联谐振单元和N个并联谐振单元,每个串联谐振单元包括串联的右手电感、左手电容,每个并联谐振单元包括并联的左手电感、右手电容;M个串联谐振单元依次串联,N个并联谐振单元的一端依次加载在两个串联谐振单元之间,并联谐振单元的另一端接地,第一射频端口加载在第一串联谐振单元的自由端,第二射频端口加载在第M串联谐振单元的自由端。本发明采用非周期集总式的传输线来避免尺寸过大;同时在维持低损耗的同时,宽带内回波损耗均优于20dB。

    一种带宽可控的不等分片上滤波功分器

    公开(公告)号:CN115764223A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211418903.2

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种带宽可控的不等分片上滤波功分器,涉及射频集成电路技术领域,包括第一输入馈线、第二输入馈线、第一输出馈线、第二输出馈线、隔离元件、第一滤波枝节和第二滤波枝节,第一滤波枝节和第二滤波枝节均分别包括N个谐振器;第一滤波枝节、第二滤波枝节与隔离元件相串联,第一滤波枝节、第二滤波枝节分别位于隔离元件的两端;第一滤波枝节的功率大于第二滤波枝节的功率,第一输入馈线比第二输入馈线的宽度更宽,第一输入馈线在第一滤波枝节中的第一谐振器上的馈电位置、相比于第二输入馈线在第二滤波枝节中的第一谐振器上的馈电位置更远离各自谐振器的开路端。本发明具有可控制的双通道相对带宽,能够实现功分比不一致但带宽可控制。

Patent Agency Ranking