公开(公告)号：CN117110824B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311370126.3

申请日：2023-10-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  王文峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。

公开(公告)号：CN112230115B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202011088858.X

申请日：2020-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  柏宇 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。

公开(公告)号：CN113972263A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111229966.9

申请日：2021-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  曾昶琨 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层；组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm，帽层内不进行掺杂，帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x，其中0＜x≤1。本发明采用极化掺杂技术，将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层，在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂，避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题，显著提升了器件的正向栅极耐压，可应用于高频功率开关电路中。

公开(公告)号：CN113937174A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111196401.5

申请日：2021-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。

公开(公告)号：CN109326659B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201811121284.4

申请日：2018-09-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 周东 ,  陆海 ,  苏琳琳 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器及其制备方法，一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器，在上电极和上电极4H‑SiC欧姆接触层之间设有氧等离子体处理的4H‑SiC欧姆接触层。上电极为Ti单层金属或含Ti多层金属复合结构。本发明高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器克服了传统PIN结构4H‑SiC紫外探测器响应度低的缺点，在不增加器件的外延技术难度、器件制备复杂程度及成本的前提下，有效提升器件的灵敏度，并保持极低的暗电流水平。

公开(公告)号：CN111564487A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010423278.5

申请日：2020-05-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 程亮 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN或GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和厚绝缘栅介质层；厚绝缘栅介质层上刻蚀或腐蚀有源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域之间设有栅极区域，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅电极，源电极、漏电极和栅电极一步成型，并一起经历欧姆电极的合金化退火工艺。本发明基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，源极、漏极、栅极同时蒸发同样的金属叠层，一步成型，大大简化了工艺制程，节省了成本，并且得到了高性能的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件；可以应用于高效功率开关以及射频器件中。

公开(公告)号：CN111490112A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010309443.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 王致远 ,  陆海 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，该新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器，包括从下到上依次相接的n型欧姆接触电极、衬底、n型低掺外延层和n型肖特基接触电极，n型肖特基接触电极沿周边设有金属导电电极，金属导电电极沿周边设有钝化层。本发明有效规避了传统p-i-n结构常规紫外探测器在应用于极深紫外波段探测时，发生的极深紫外光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了极深紫外波段探测器的量子效率；进一步，通过将肖特基电极结构优化为不完全填充结构，更加有效地降低了极深紫外光子在金属电极表面的反射与吸收，进一步提升了肖特基结探测器在极深紫外波段尤其是真空紫外波段的量子效率。

公开(公告)号：CN119828207B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510334586.3

申请日：2025-03-20

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 徐尉宗 ,  郭越 ,  徐仁杰 ,  陆海 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: G01T7/00

Abstract: 本发明涉及半导体漂移室探测器测量领域，具体涉及一种半导体漂移室探测器漂移特性的测试系统及方法。测试系统包括双面探针台、半导体漂移室探测器、第一双通道数字万用表、第二双通道数字万用表、激光器和光纤夹具。双面探针台用于固定和连接探测器，数字万用表分别施加偏压和采集数据，激光器通过光纤照射探测器背面。测试时，先选激光器波长并调光功率，将探测器置于暗室双面探针台并连接设备，光照后设置电压并监测电流，调整光照位置，依据不同光照位置电流差判断横向漂移特性是否合格。该测试系统及方法，相比传统集成测试，有效减少测试时间，提高器件迭代速度，能便捷表征半导体漂移室探测器中电子的横向漂移特性。

公开(公告)号：CN115312616B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202211094096.3

申请日：2022-09-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 周东 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周峰

IPC: H10F30/225 ,  H10F71/10 ,  H10F30/223 ,  H10F77/30

Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。

公开(公告)号：CN119170630A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411679755.9

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  荣玉 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/552 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件及其制作方法。本发明所设计的具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件，包括自下而上依次设置的衬底层、高阻层、背势垒层、氮化镓层、势垒层，以及设置在势垒层上的栅极、源极和漏极；其特征在于，所述氮化镓器件还包括单粒子辐照电荷引出电极，所述单粒子辐照电荷引出电极包括均匀布置在所述势垒层的顶面上的多个p型氮化镓块、在每个所述p型氮化镓块中部设置的欧姆金属柱以及用以连接各个分散的欧姆金属柱的互联金属片；通过单粒子辐照电荷引出电极能够为辐照感生空穴泄放至器件外部提供路径，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。