公开(公告)号：CN113972263B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202111229966.9

申请日：2021-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  曾昶琨 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层；组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm，帽层内不进行掺杂，帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x，其中0＜x≤1。本发明采用极化掺杂技术，将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层，在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂，避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题，显著提升了器件的正向栅极耐压，可应用于高频功率开关电路中。

公开(公告)号：CN113972263A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111229966.9

申请日：2021-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  曾昶琨 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层；组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm，帽层内不进行掺杂，帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x，其中0＜x≤1。本发明采用极化掺杂技术，将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层，在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂，避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题，显著提升了器件的正向栅极耐压，可应用于高频功率开关电路中。