公开(公告)号：CN113937174B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202111196401.5

申请日：2021-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。

公开(公告)号：CN111490112B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010309443.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 王致远 ,  陆海 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，该新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器，包括从下到上依次相接的n型欧姆接触电极、衬底、n型低掺外延层和n型肖特基接触电极，n型肖特基接触电极沿周边设有金属导电电极，金属导电电极沿周边设有钝化层。本发明有效规避了传统p‑i‑n结构常规紫外探测器在应用于极深紫外波段探测时，发生的极深紫外光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了极深紫外波段探测器的量子效率；进一步，通过将肖特基电极结构优化为不完全填充结构，更加有效地降低了极深紫外光子在金属电极表面的反射与吸收，进一步提升了肖特基结探测器在极深紫外波段尤其是真空紫外波段的量子效率。

公开(公告)号：CN113328007A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110623694.4

申请日：2021-06-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n‑i‑p型极深紫外探测器及其制备方法，该探测器包括从下到上依次相接的衬底、p型SiC高掺外延层、p型SiC低掺外延层、n型SiC超薄高掺外延层和n型欧姆接触电极，p型SiC高掺外延层上设有p型欧姆接触电极，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极上均设有金属导电电极，n型SiC超薄高掺外延层的厚度不大于30nm。本发明有效规避了传统p‑i‑n结构常规紫外探测器在应用于EUV波段探测时所发生的EUV光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了EUV波段探测器的量子效率；同时有效规避了肖特基结EUV探测器在应用于高能光子辐照以及高温环境中时存在于辐照稳定性以及温度稳定性方面的风险。

公开(公告)号：CN113937174A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111196401.5

申请日：2021-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。

公开(公告)号：CN111490112A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010309443.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 王致远 ,  陆海 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，该新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器，包括从下到上依次相接的n型欧姆接触电极、衬底、n型低掺外延层和n型肖特基接触电极，n型肖特基接触电极沿周边设有金属导电电极，金属导电电极沿周边设有钝化层。本发明有效规避了传统p-i-n结构常规紫外探测器在应用于极深紫外波段探测时，发生的极深紫外光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了极深紫外波段探测器的量子效率；进一步，通过将肖特基电极结构优化为不完全填充结构，更加有效地降低了极深紫外光子在金属电极表面的反射与吸收，进一步提升了肖特基结探测器在极深紫外波段尤其是真空紫外波段的量子效率。