公开(公告)号：CN105244173A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510739934.1

申请日：2015-11-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 钱旭 ,  李爱东 ,  曹燕强 ,  官操 ,  吴迪

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种制备过程简便、成本低廉、具有特定微结构的超级电容器过渡金属硫化物电极材料的制备方法，将裁剪好的泡沫金属清洗干净，真空干燥；之后放入管式退火炉中，在硫化氢气体持续稳定通入的过程中开始升温退火，升温时间40-50min，退火温度400~500℃，退火时间30~90min；退火完成后继续通入硫化氢气体直至自然冷却到室温；即得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。本发明是用H2S气体作为硫源，将泡沫金属在高温下退火反应直接得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。该方法工艺简单，耗时少，成本低；具有特定微结构的电极材料导电性好，比电容高，倍率性能优良，同时具有良好的循环性能。

公开(公告)号：CN114023966A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111264049.4

申请日：2021-10-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  房佳斌 ,  曹燕强 ,  昌绍忠 ,  滕福瑞 ,  吴迪

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔‑致密双层保护层的锂离子电池硅负极材料及其制备方法，属于锂离子电池硅负极材料领域，获得了具有高容量、长循环寿命的纳米多孔‑致密双层保护的锂离子电池硅负极材料。本发明在纳米硅颗粒负极上使用分子层沉积和原子层沉积技术生长纳米多孔‑致密双保护层，所制备得到的材料由内向外依次为纳米硅、纳米多孔保护层、致密保护层。

公开(公告)号：CN110508155A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910771709.4

申请日：2019-08-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  刘畅 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: B01D67/00

Abstract: 本发明公开了一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，属于分离膜材料领域，采用淋浴式分子层沉积技术，一步直接制备无机-有机多孔纳米分离膜，无需任何后处理工艺，工艺简单，非常有利于大规模生产。本发明包括：准备杂化多孔分离膜所用的担体和杂化多孔分离膜制备两步，杂化多孔分离膜制备采用分子层沉积技术，采用淋浴式垂直式反应室，反应前驱体自上而下进入反应腔，所述金属前驱体为二乙基锌，所述有机前驱体为对苯二酚，沉积使用的脉冲循环为：0.1-2 s金属前驱体脉冲、2-15 s清洗脉冲、5-25 s有机前驱体脉冲、2-20 s清洗脉冲，沉积循环数大于35，即可得到锌基对苯二酚无机-有机杂化多孔分离膜。

公开(公告)号：CN110361119A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910623408.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  赖天成 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: G01L1/22 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种复合微结构的柔性应力传感器及其制备方法，属于传感器领域，方法为将两种一维纳米材料分散于乙醇、异丙醇等溶剂中，搅拌后再超声半小时，此过程重复至纳米材料均匀分散；步骤二、将弹性绳浸入上述步骤一的导电纳米材料的分散液中，搅拌并超声2小时使得导电纳米材料能充分地黏附于弹性绳表面的纺织纤维上；步骤三、将上述弹性绳取出后置于空气中晾干，并在其两端分别连接一根金属线作为引出电极即可。本发明综合了纺织微结构基底可拉伸范围大、稳定性好以及一维导电纳米材料灵敏度高、响应迅速的特点，制备出的柔性应力传感器综合性能优异，具有高灵敏度高拉伸性。

公开(公告)号：CN106268903B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201610582290.4

申请日：2016-07-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  曹燕强 ,  赵希瑞 ,  陈君 ,  吴迪

IPC: B01J27/24

Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的表面氮改性二氧化钛纳米颗粒的可见光催化剂的制备方法，首先将二氧化钛粉末转移入ALD反应室，对其表面进行超薄TiN薄膜的沉积包裹，包裹参数为：反应室温度100‑500 oC；钛源：四氯化钛、四二甲氨基钛或异丙醇钛；氮源：氨气或者氨气等离子体；载气：钛源使用高纯氮气或者氩气作为载气，流量为50‑200 sccm；氮源使用高纯氩气作为载气，流量为50‑200 sccm；脉冲和清洗时间：钛源脉冲为0.1‑10 s；每次无机源脉冲之后都紧接着用高纯氮气清洗2‑60 s；氮源脉冲为5‑60s，紧接着用高纯氮气清洗2‑60 s，冲掉反应副产物和残留的反应源。该方法简单易行，产品的可见光催化性能显著增强。

公开(公告)号：CN102492932B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201110394348.X

申请日：2011-12-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，首先清洗GaAs衬底，之后在HCl水溶液中浸泡3～5分钟，接着在(NH4)2S水溶液中浸泡10～40分钟，用氮气吹干GaAs衬底并移入原子层沉积反应室，在原位用金属脉冲清洗GaAs衬底。本发明在S钝化的基础上进一步在反应室原位用金属脉冲钝化砷化镓衬底表面，有效地除掉了表面的砷和镓的氧化物，形成了稳定的界面，防止了氧化物的生成，改进了栅介质薄膜与GaAs衬底之间的界面质量，降低了界面层的厚度，提高界面热稳定性，降低了缺陷电荷和界面态密度，进而明显地改进了ALD后GaAs基MOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102492932A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110394348.X

申请日：2011-12-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 李学飞 ,  李爱东 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，首先清洗GaAs衬底，之后在HCl水溶液中浸泡3~5分钟，接着在(NH4)2S水溶液中浸泡10~40分钟，用氮气吹干GaAs衬底并移入原子层沉积反应室，在原位用金属脉冲清洗GaAs衬底。本发明在S钝化的基础上进一步在反应室原位用金属脉冲钝化砷化镓衬底表面，有效地除掉了表面的砷和镓的氧化物，形成了稳定的界面，防止了氧化物的生成，改进了栅介质薄膜与GaAs衬底之间的界面质量，降低了界面层的厚度，提高界面热稳定性，降低了缺陷电荷和界面态密度，进而明显地改进了ALD后GaAs基MOS器件的电学性能。