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公开(公告)号：CN109461775B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201811071297.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/24
Abstract: 基于利用外延生长半金属的自旋场效应晶体管，所述半金属材料为Fe3O4合金，采用的基片为As/n‑GaAs/GaAs(100)，在基片上承载了两个大小不同的半金属材料Fe3O4薄膜层作为电极基，其中小的半金属材料的大小为:17±5×156±20μm,大的半金属材料的大小为97±10×156±20μm，两个大小不同的半金属材料的间距为2.6±1μm；在半金属材料薄膜层上制备两对电极，通过改变Fe3O4薄膜层第一对电极间的外加电压，实现n‑GaAs沟道内部的自旋反转，从而改变第二对电极C,D间的电流大小。
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公开(公告)号：CN113835313A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111325361.X
申请日：2021-11-10
Applicant: 南京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法，1)使用飞秒级的强场激光与工作介质相互作用产生高次谐波；2)反应产生的高次谐波复色光通过过滤选取谐波级次，即用于测试的波长所在的谐波级次，从而得到测试波长的纯净极紫外光；3)极紫外光通过狭缝进入曝光装置，对涂敷光刻胶的晶圆样品进行曝光，将掩模版的图案转移到样品表面，通过累积曝光时间来达到光刻胶所需的曝光剂量。所述用于曝光的极紫外光基于高次谐波技术产生。纯净的极紫外光进入曝光装置，使涂有光刻胶的硅片曝光，通过累积曝光时间的方式达到光刻胶所需的曝光剂量。
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公开(公告)号：CN111987577B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010505174.9
申请日：2020-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 重复频率灵活倍增的全光纤激光器，所述激光器由一个锁模光纤激光振荡器(a)与一个基于时域泰伯效应的重复频率倍增模块(b)构成；其中锁模光纤激光振荡器先输出一定重复频率的稳定锁模脉冲，并通过光纤跳线头对准的方式注入基于时域泰伯效应的重复频率倍增模块，在倍增模块中的色散可调谐光纤器件中激发时域泰伯效应实现重复频率倍增；重复频率倍增模块由光纤环形器(5)与色散可调谐光纤器件(6)构成，锁模光纤激光振荡器输出的超短脉冲从光纤环形器1号口输入，2号口输出并注入色散可调谐光纤器件，激发色散介质中的时域泰伯效应实现激光器重复频率倍增，重复频率倍增后的周期性脉冲最终从环形器3号口输出。
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公开(公告)号：CN112582531A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911394323.2
申请日：2019-12-30
Abstract: 一种磁性存储器以及磁性存储器的制备方法。所述磁性存储器包括重金属层、金属薄膜层以及磁性隧道结(MTJ)层。所述金属薄膜层位于所述重金属层和所述MTJ层之间，所述重金属层的材料的自旋轨道耦合效应强于所述金属薄膜层的材料的自旋轨道耦合效应。
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公开(公告)号：CN106676480B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201710140215.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108839407A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810563709.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 南京大学
IPC: B32B15/092 , B32B15/14 , B32B17/02 , B32B17/06 , B32B27/04 , B32B27/18 , B32B27/38 , B32B33/00 , B32B9/00 , B32B9/04 , C08L63/00 , C08J5/24 , C08G59/68 , C08G59/50 , C23C16/26
Abstract: 本发明公开了石墨烯基PCB覆铜板，包括覆铜板半固化片、铜箔3；半固化片1、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯。或半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯，石墨烯的外面为铜箔。在半固化片两面沉积石墨烯。然后在通过热压方法将铜箔附于半固化片中。通过此方法制备的PCB覆铜板，由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。
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公开(公告)号：CN108822493A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810503288.2
申请日：2018-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；加入粒径为1-10纳米的SiO2、MgO、Al2O3和CaO陶瓷粉体混合物，然后进行高速搅拌，从而使纳米陶瓷在环氧树脂中分布均匀；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过在环氧树脂中加入一定比例的纳米陶瓷粉体，并使陶瓷颗粒与环氧树脂混合均匀，大大提高覆铜板半固化片的均一性及热性能，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108684151A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810700412.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 南京大学
IPC: H05K3/02 , B32B27/32 , B32B27/04 , B32B15/20 , B32B15/085 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B38/08 , B32B38/00
CPC classification number: H05K3/022 , B32B15/085 , B32B15/20 , B32B27/322 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B38/08 , B32B2038/0076 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/101 , B32B2307/50
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板及覆铜方法，主要包括：采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜，根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。通过此方法得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108659461A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810340380.1
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；而后再加入一定量的PTFE纳米粉体及丙酮，并在一定转速下搅拌，直至PTFE纳米粉体均匀分散；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过PTFE纳米粉体与环氧树脂混合得到PCB基覆铜板半固化片，由于PTFE粉体的加入，使覆铜板半固化片的介电性能大大提高，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN106877858A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611226414.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 南京大学
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/20
Abstract: 一种基于磁性斯格明子的逻辑门电路，逻辑门基本单元由两条磁性金属纳米线末端会聚成一条磁性金属纳米线构成，三根磁性金属纳米线连接处设有磁颈，三个磁颈具有三种不同宽度，以采用电流提供逻辑运算的控制，形成“与”逻辑门或者“或”逻辑门；所述的逻辑门为三根磁性金属纳米线构成的三接线端装置，输入端由两根并联的带有磁颈(MA和MB)的纳米线组成，其末端会聚串联形成一根磁性金属纳米线为带有磁颈(MX)的一条输出磁性金属纳米线。
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