-
公开(公告)号：CN119491219A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411616882.4
申请日：2024-11-13
Abstract: 本发明提供一种原子团簇粉体及其制造方法、高温合金裂纹缺陷修复方法，通过高频脉冲电源对靶材持续进行高频脉冲放电冲击，产生原子级的团簇粉体，得到原子团簇粉体。修复方法包括：将带有裂纹缺陷的高温合金材料构件清洗并干燥后，正放置在手套箱中；将原子团簇粉体堆砌在高温合金材料构件的裂纹缺陷上方，进行震动处理，使原子团簇粉体充分渗入高温合金材料构件的裂纹缺陷中；将高温合金材料构件放入热处理炉中，熔化原子团簇粉体，实现裂纹缺陷的冶金修复。本发明将高温合金裂纹缺陷修复与连接材料尺寸减少到原子级，能够在较低温度下实现高温合金材料构件裂纹缺陷的同材修复，具有工艺简单、能耗低、高性能高温合金材料适用性强等优点。
-
公开(公告)号：CN118417555A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410540155.8
申请日：2024-04-30
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明涉及金属材料技术领域，具体涉及一种低熔点高分散金属粉体及其制备方法。所述低熔点高分散金属粉体，由金属的原子团簇颗粒组成；所述金属粉体的材质为单质金属或合金，该金属粉体尺寸不小于1立方毫米、纯度大于99wt％，且无有机物组分；所述金属粉体的熔点低于其对应宏观单质金属或合金的熔点。本发明采用气相凝聚、原子数控制、高分散收集的工艺和设备来制造金属粉体，通过控制制造过程中的各类参数，能够实现金属粉体颗粒的大量生产，在有限的时间内，能够得到宏观产量的金属粉体，实现了低熔点金属粉体的量产，开拓性的解决了高纯度、低熔点的金属粉体无法量产的难题。
-
公开(公告)号：CN117912970B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410310355.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法，属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束；再将团簇束沉积到衬底的表面，使团簇均匀的平铺在衬底的表面，形成团簇层；在温度低于传统焊剂材料熔点1/3以下的常压环境中，加热熔化团簇层，并将待键合的晶圆放置在团簇层上，以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌，实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。
-
公开(公告)号：CN110726736B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201910992390.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法，制备反铁磁拓扑绝缘体层，在微波能量下，反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流，由于拓扑表面态自旋动量锁定的特征，自旋流会在表面上自发产生定向的电荷流。通过电极检测该电荷流，实现微波的无源低功耗探测。由于多层的反铁磁拓扑绝缘体层可视为由反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构的周期性堆垛而成，因此微波检测灵敏度成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性，降低了微波检测的功耗。本发明既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性，又利用了反铁磁层的微波共振，使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。
-
公开(公告)号：CN110129747B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910131442.2
申请日：2019-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于团簇束流源的电转向器，设有8个1/8金属球体安装于立方体框架的顶点处，正方体框架为陶瓷或者聚四氟乙烯材质的绝缘体；正方体框架边长为60±10cm。8个1/8球体相互独立，能够单独加上不同电压。8个1/8金属球体的球心在六面体的8个顶点上。本发明采用8个1/8球形电极上同时加上正或负电压，可以方便控制经过本发明控制体的离子束流，可以正以直线或发生偏转，可以按任意方式控制，尤其是电极的形状精确，施加的电压均衡，电控制束流的性能好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100558945C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710023415.0
申请日：2007-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1-50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。在本发明中，利用荷能团簇束流沉积的方法来制备超薄的纳米晶片，是因为荷能团簇束流沉积可以使数百成千个原子以同一速度到达衬底，而接近整个颗粒结合能的动能在荷能纳米颗粒与衬底完成接触的瞬间消失作用在纳米颗粒上，促进了密堆积结构晶核的生长。
-
公开(公告)号：CN117822107A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410245701.5
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
-
公开(公告)号：CN117116772A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311357685.0
申请日：2023-10-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477 , H01L21/66 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于先进电子元器件技术领域，特别涉及一种基于团簇离子注入的二维材料掺杂方法，包括选取二维材料样品放于衬底上；在二维材料样品上通过蒙特卡洛粒子追踪算法，确定选用的注入参数；更换二维材料样品，置入二维材料薄膜，所述二维材料薄膜厚度≤10nm；选用确定的注入参数形成团簇束流并作用在二维材料薄膜上；改变注入参数形成不同团簇束流并作用在二维材料薄膜上；对注入团簇离子的二维材料薄膜进行退火处理，修复注入造成的损伤。传统二维材料的离子注入，离子一般为单个离子，本发明通过使用离子团簇进行注入，使得离子注入对晶格的破坏减小，从而使得本方法适用于二维半导体材料。
-
公开(公告)号：CN114045466A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111219577.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了圆形用于团簇束流源高功率脉冲磁控溅射装置及测试方法，包括基板、外腔室、内腔室、电源模组；所述外腔室的顶部设有被溅射出的团簇束流的出口；所述基板安装在出口上；所述外腔室底部设有真空泵的抽气口；所述电源模组设置在外腔室的底部上；所述内腔室设置在电源模组上；所述内腔室的侧壁上设有气体的入口；所述内腔室顶部开口，内部包括靶材和磁控装置，所述靶材设置在磁控装置上；所述电源模组由高功率脉冲磁控溅射模块与一个直流脉冲电源串联后再与一个直流电源或者射频电源进行耦合组成；所述磁控装置是圆形整块自适应磁铁。本发明提高了溅射过程中靶材原子的离化率，提高了团簇的生产效率。
-
公开(公告)号：CN111721599B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010581261.2
申请日：2020-06-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 原子级材料束流在真空中变温液体包覆收集方法，使用流动的低蒸气压液体在真空中收集飞行的原子级材料束流，以液相对准材料束流照射面积并收集材料束流，液相采用低蒸气压特种液体。启动材料源产生原子级材料束流；选择所需的原子及材料尺寸，优化条件使其的产生量达到最高。将材料束流经过聚焦后引导至液体收集装置前，对准液体收集皿的收集口；收集时启动液体收集装置，使液体载体，在收集皿中来回循环流动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.017 seconds)
