公开(公告)号：CN207217542U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201720864085.7

申请日：2017-07-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  卢宽宽 ,  彭俊彪 ,  宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  陶瑞强 ,  刘贤哲 ,  陈建秋 ,  徐苗 ,  王磊

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/285

Abstract: 本实用新型属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极。所述铜合金电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜导电主体层和纯铝薄膜缓冲阻挡层构成，所述导电主体层厚度为20～1000nm，缓冲阻挡层的厚度为5～200nm。本实用新型制备的铜合金电极具有高结合强度，低电阻率，与绝缘层兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207517700U

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201721502998.0

申请日：2017-11-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  彭俊彪 ,  姚日晖 ,  卢宽宽 ,  陶瑞强 ,  蔡炜 ,  刘贤哲 ,  陈建秋 ,  徐苗

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型属于显示器件领域，公开了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本实用新型的薄膜晶体管中，钝化层除了具有保护作用外，还具有与有源层共同作用，提高载流子浓度和加速载流子传输，从而提高迁移率的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207517697U

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201720913631.1

申请日：2017-07-26

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  姚日晖 ,  卢宽宽 ,  刘贤哲 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786

Abstract: 本实用新型公开了一种高性能薄膜晶体管，其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是含铜的源电极和漏电极；在本实用新型的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本实用新型的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利