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公开(公告)号：CN118545984A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410477875.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/12 , C04B35/622 , H01L29/51 , H01L21/285 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/58
Abstract: 本发明公布了一种高k富铝α‑(Al,Cr)2O3栅介质薄膜的制备方法及其应用，在α‑Al2O3中掺杂Cr2O3，形成富铝刚玉结构的α‑(Al,Cr)2O3薄膜，薄膜中的Al/Cr原子比在1.50～3.0范围，相对介电常数达16，显著高于α‑Al2O3，带隙宽度为5.75eV。本发明制备的α‑(Al,Cr)2O3由纳米晶+非晶(少量)组成，表面平整，与硅基界面稳定，不形成低介电常数中间相。对集成CMOS栅极在保持高的电容密度的同时，有效防止栅极隧穿电流的形成。
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公开(公告)号：CN118308700A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410477874.X
申请日：2024-04-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公布了一种InconelX‑750高温合金的复合强化方法。对用InconelX‑750高温合金制作的产品先沉积Al8Cr5薄膜后再进行固溶处理，InconelX‑750产品进行固溶处理时表面Al8Cr5形成的致密氧化膜，能有效保护基体晶界不被氧化和氮化，同时利用固溶处理时的高温促进Al8Cr5/基体界面间的相互扩散，有效提高Al8Cr5/基体界面结合力。Al8Cr5具有较高的抗氧化性能以及高温强度和硬度，能有效提高InconelX‑750产品的抗高温冲击磨损性能，显著提高产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114700491B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210316911.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高温SPS粉末自粘结技术的La‑Fe‑Si基磁制冷块体材料及其制备方法，将封管热处理成相良好的La‑Fe‑Si基磁制冷材料粉末在高温放电等离子烧结过程中粉末自粘结成型，制备得磁制冷块体材料；所述烧结温度为900℃～1000℃，压力为10～100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料为LaFe11.8Si1.2化合物，其粒径≤300μm。本发明较高的烧结温度使得粉末表面合金熔融。熔融合金填充颗粒之间空隙，降低了材料孔隙度，从而提高了块体材料的致密度，且颗粒之间形成可靠的冶金结合，解决了La‑Fe‑Si材料脆性大，难成型的问题。同时，实现在不添加烧结助剂的前提下烧结成型La‑Fe‑Si基块体材料，最大程度减轻烧结助剂引起的磁稀释效应，制得的块体材料具有良好的磁热效应。
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公开(公告)号：CN116574868A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310405164.1
申请日：2023-04-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种奥氏体钢的强化方法及其应用，属于金属加工技术领域。本发明提供的强化方法包括以下步骤：将奥氏体钢同时进行固溶和渗氮处理，然后进行时效处理，得到强化后的奥氏体钢。本发明的强化方法通过对奥氏体钢同时进行固溶和渗氮处理，可以有效改善奥氏体钢的表层结构，得到的氮化层能够有效提高奥氏体钢的表面硬度，提高耐磨性，且本发明提供的强化方法无需进行镀铬处理，即可得到表面硬度高、耐磨性好的奥氏体钢，且工艺流程简单，产品合格率高，有利于节约成本。
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公开(公告)号：CN116426809A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310281434.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高强度La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法，其主相由富稀土型La‑Fe‑Si基化合物颗粒和粘接剂Fe粉均匀混合预成型，将预成型后的La‑Fe‑Si基复合块体材料经700‑900℃高温热变形成型后，于保护气氛下高温热处理，热处理温度为1000‑1200℃，时间为0.5‑8h，制备得到La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料。本发明制备的La‑Fe‑Si基磁制冷材料具有高含量的1:13相，磁热性能较优异。基于粉末冶金与热处理将富稀土型La‑Fe‑Si基合金中的第二相富稀土相调整为具有良好塑韧性的α‑Fe相，较为均匀分布的α‑Fe相显著提升块体复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN109989044B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910264818.7
申请日：2019-04-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种AlCr+α‑Al2O3溅射靶材及制备与应用。所述溅射靶材由10～20wt％的α‑Al2O3，36.2～40.7wt％的Cr和43.8～49.3wt％的Al组成。将Al粉、Cr粉与α‑Al2O3粉经混粉、加压烧结，得到致密AlCr+α‑Al2O3溅射靶材。所得AlCr+α‑Al2O3溅射靶材通过射频磁控溅射在基体温度520～600℃和10％～15％O2分压下沉积可沉积出单相纳米α‑(Al,Cr)2O3薄膜，所沉积的薄膜硬度高，韧性好。
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公开(公告)号：CN111455333B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010289300.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种富Al刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜及其制备方法。首先在Ar气条件及基体温度为540～560℃利用直流磁控溅射纯Cr靶制备纯Cr过渡层，然后给基体施加‑150～‑100V范围内的脉冲直流负偏压，通入O2分压为10～12.5％的Ar+O2混合气体，调节基体温度为540～560℃，利用射频磁控溅射Al70Cr30合金靶反应沉积，得到富Al刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜。所得薄膜由α‑Al2O3和α‑(Al,Cr)2O3相组成，最高Al含量可达39.9wt％。
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公开(公告)号：CN111455333A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010289300.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种富Al刚玉结构Al-Cr-O薄膜及其制备方法。首先在Ar气条件及基体温度为540～560℃利用直流磁控溅射纯Cr靶制备纯Cr过渡层，然后给基体施加-150～-100V范围内的脉冲直流负偏压，通入O2分压为10～12.5％的Ar+O2混合气体，调节基体温度为540～560℃，利用射频磁控溅射Al70Cr30合金靶反应沉积，得到富Al刚玉结构Al-Cr-O薄膜。所得薄膜由α-Al2O3和α-(Al,Cr)2O3相组成，最高Al含量可达39.9wt％。
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公开(公告)号：CN108470616B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810208373.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于稀土永磁废料回收领域，公开了一种利用钕铁硼固体废料制备Nd2Fe14B/α‑Fe纳米复合磁粉的方法。将钕铁硼固体废料经清洗、干燥、粉碎预处理后用强酸溶液溶解，滤去不溶物，所得溶液通过微波辅助化学合成法、溶胶凝胶法或喷雾热解法制备纳米晶混合氧化物；将所得纳米晶混合氧化物通过还原剂还原，得到Nd2Fe14B/α‑Fe纳米复合磁粉。本发明的方法工艺简单、经济环保，避免了传统湿法冶金流程长、能耗大、污染严重等缺点，同时实现了废料高价值的利用，得到的Nd2Fe14B/α‑Fe纳米复合磁粉晶粒细小、成分均匀、具有较强的交换耦合作用。
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