公开(公告)号：CN114388364B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202111580209.6

申请日：2021-12-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  李依麟 ,  宁洪龙 ,  付钰斌 ,  李星林 ,  姜雅思 ,  熊鑫 ,  叶倩楠 ,  曾璇 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种通过界面补偿消除柔性集成器件残余应力的方法。所述方法为：(1)通过氧气等离子处理衬底，提高衬底分子键合能力，实现PI与缓冲层的高粘附性；(2)利用沉积速率较温和的等离子体增强化学气相沉积制备SiOx/SiNx叠层薄膜，作为PI缓冲层、栅绝缘层和钝化层；SiOx/SiNx叠层薄膜与铜合金残余应力种类相反，可以相互补偿抵消，减少残余应力；(3)铜合金电极在高温退火后，微量掺杂的CrZr被排出晶格，在半导体/电极界面处与铟锌反应吸收能量，可以将部分界面残余应力的机械能转化为化学能，可以进一步消除残余应力。本发明所提出的工艺路径可以从制备器件的源头消除残余应力，是一种行之有效的方法。

公开(公告)号：CN116598316A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310355654.5

申请日：2023-04-06

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  梁志豪 ,  姚日晖 ,  彭俊彪 ,  吴为敬 ,  符晓 ,  付钰斌 ,  曾璇 ,  郭晨潇 ,  邹文昕

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/10 ,  H10K59/80 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  H10K102/10

Abstract: 本发明公开了一种柔性透明多层电极及其室温制备方法与应用。其制备方法是将功函数较大的半导体层通过磁控溅射工艺沉积于基板上；将功函数较小的金属电极层通过磁控溅射工艺沉积于上述半导体层上；通过磁控溅射工艺沉积同种半导体层于上述金属电极层上。本发明利用功函数差使得金属电极电子向半导体转移形成导电层，使得透明的金属氧化物半导体形成高导层，且仅需要10nm左右的厚度，电阻率仅为20.3μΩ·cm，可见光波段内透过率可达75％。另外由于厚度极薄且非晶，该结构的透明电极具备很好的柔性性能，在静态弯折和动态弯折的测试中，具备良好的稳定性。该结构电极为透明柔性显示的发展提供了巨大的前景。

公开(公告)号：CN114355693B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202111586266.5

申请日：2021-12-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  李牧云 ,  姚日晖 ,  钟锦耀 ,  符晓 ,  付钰斌 ,  姜雅思 ,  叶倩楠 ,  曾璇 ,  彭俊彪

IPC: G02F1/163

Abstract: 本发明公开了一种用于电致变色器件的电荷补偿装置及控制方法，其中，电荷补偿装置包括霍尔传感器、透过率传感器、充电模块，其中，霍尔传感器、透过率传感器分别与测试元件相连，该测试元件为电致变色器件，霍尔传感器和透过率传感器对电致变色器件的透过率和残余电压进行检测，然后将测试信号输出到充电模块，若透过率超出指定阈值或者残余电压大于0，充电模块对电致变色器件进行电荷补偿，直至电致变色器件的无电荷积累褪色完全。本发明有效解决了电致变色器件褪色残余与电荷积累的问题，进而提高了电致变色器件的寿命。

公开(公告)号：CN113270564A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110547323.2

申请日：2021-05-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  梁宏富 ,  宁洪龙 ,  张旭 ,  梁志豪 ,  曾璇 ,  叶倩楠 ,  谢昕 ,  李晓海 ,  彭俊彪

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于电流体印刷量子点发光层的QLED器件及制备方法。本发明采用电流体打印将量子点溶液打印量子点阵列作为EML功能层，通过匹配发光功能层材料与其承印物的润湿性、互溶程度以及相邻墨滴之间的蒸发排斥效应实现墨滴的三相线钉扎。通过电流体印刷直写技术，成功摆脱印刷槽的束缚，突破喷墨印刷以及转移印刷技术的下限，成功提高器件的分辨率，抑制印刷“咖啡环”效应，实现高质量印刷。