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公开(公告)号：CN110211614A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910511022.7
申请日：2019-06-13
Abstract: 本发明属于数字电路技术领域，公开了一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法，基于磁性斯格明子的锁存器为重金属HM层和铁磁FM层的双层结构，铁磁层中预置磁性斯格明子，使能端E上不施加电压E＝0时，通过对输入端D施加电压，控制磁性斯格明子在铁磁层中的位置，在使能端E上施加电压E＝1时，磁性斯格明子在铁磁层中的位置不随输入端D的状态变化；在本发明中，由两个基于磁性斯格明子的锁存器进行级联构成触发器。本发明大大减小了锁存器所占面积，有利于简化电路设计，可用于更高密度的时序逻辑电路；本发明磁存储具有非易失性，大大降低了锁存器和触发器的静态功耗。
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公开(公告)号：CN108328565B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810133187.0
申请日：2018-02-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可控纳米裂纹的器件及其制备方法和控制方法，其中，基于可控纳米裂纹的器件包括铁电材料、金属间合金薄膜和金属电极，所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述金属间合金薄膜位于铁电材料上方，所述第一金属电极和第二金属电极位于金属间合金薄膜的上方的两端，所述第三金属电极位于铁电材料的上方或者下方。本发明的基于可控纳米裂纹的器件在断开状态下不存在漏点的风险，同时具有非易失性、可重复性、低功耗以及抗疲劳性，此外还具有巨大的开关比以及良好的稳定性，作为存储器具备长期保存数据的能力。
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公开(公告)号：CN109911838A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910139216.9
申请日：2019-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于可控纳米裂纹实现的互补电阻开关器件及其控制方法，其中，互补电阻开关器件包括由上至下依次设置的金属电极、合金薄膜和铁电材料，金属电极与合金薄膜的尺寸相同，金属电极包括对称分布的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极之间有一条长方形间隙。其控制方法包括：在第一金属电极和第二金属电极上施加循环电压，在间隙两边的合金薄膜上产生裂纹，通过控制循环电压调控裂纹的开闭。
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公开(公告)号：CN114724598B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210210505.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋轨道耦合的感存算一体结构及其操作方法，其结构包括：衬底以及形成于衬底上的功能层，功能层包括依次堆叠于衬底上的SOT感应层、绝缘层和磁场生成层，且划分为N个功能区，N≥1，在每个功能区中：磁场生成层形成有电流支路，用于传输上层电流；SOT感应层设置有SOT器件，SOT器件为包括电流施加条和电压测试条的Hallbar结构，电流支路与电流施加条相互垂直，电流支路输入上层电流后产生方向与电流施加条中电流方向平行的均匀磁场，电流施加条中输入写电流与所述均匀磁场共同作用，在SOT器件中写入稳定的反常霍尔电阻，电压测试条用于测试反常霍尔电压。通过以上结构，可以集感知、存储和运算为一体，大大提高运算速度并降低功耗。
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公开(公告)号：CN117481809A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311406238.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61B34/20
Abstract: 本发明属于磁导航技术领域，具体涉及一种手术用磁导航系统，包括磁场检测组件和处理器；检测组件用于设置在手术刀的尾端，在手术刀前端抵住预设切入点时测量磁场中尾端处的三维磁场强度(Hx,Hy,Hz)，其中，磁场是通过设置在手术台的底部且位于切入点的正下方的磁铁所产生；处理器用于计算Hx和Hy的矢量和，根据预先所确定的矢量和与极角之间的关系信息，确定极角 计算Hx和Hy的比值，根据预先所确定的这种比值与方位角θ之间的关系信息，确定方位角θ；采用极角和方位角θ表征手术刀实际切入方向；其中，极角和方位角θ均为在以切入点为球心的球坐标系下的角度，另外上述磁场在切入点所在平面以上空间的部分具有对称性。本发明提出的磁导航系统能大大增加手术的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116665719A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310400052.7
申请日：2023-04-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明公开了一种磁记录设备、多态磁盘及读写方法，属于磁存储领域，磁记录设备包括：衬底，以及衬底之上的磁记录薄膜，磁记录薄膜为圆形，且包括由两层非磁性中间层间隔的三层铁磁层，三层铁磁层的易磁化方向分别沿x、y、z方向，z方向为垂直方向，x、y方向为面内方向且分别沿径向和切向；多态磁盘包括磁记录设备、读磁头、写磁头以及读磁头两侧的磁屏蔽层；写磁头包括垂直磁极和两个水平磁极对，以及缠绕于各磁极上的线圈；读磁头包括自旋流生成层，和膜层结构(磁隧道结、自旋阀或Hall bar)。本发明能够提高磁记录设备的存储密度，从而大幅提高基于该磁记录设备的磁盘的存储密度。
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公开(公告)号：CN116007781A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310062010.7
申请日：2023-01-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K7/36
Abstract: 本发明公开了一种温度传感器组件、温度测量方法及系统，基于铁磁薄膜，利用温度对于反常霍尔系数或者垂直磁化强度的大小会产生相关影响的物理特性，制备了所述的微米尺寸级别的温度传感器件，通过测量其在不同外界温度下反常霍尔电阻值与垂直磁场大小的变化曲线，建立了反常霍尔电阻差值与温度的对应关系曲线，所述的曲线的多项式拟合优度高，测试结果与拟合曲线的偏差小，从而可以实现对温度的100K至490K较宽测温范围内的高效测量。通过性能评价表明，上述薄膜结构具有良好的垂直磁各向异性，所述温度传感器具有良好的重复测试性能、测温耐久性、较高的测温精度与较宽的测温范围。
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公开(公告)号：CN115811927A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211602980.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N50/10
Abstract: 本发明公开了一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动的逻辑器件，属于多铁异质结以及相应器件领域。本发明提供的多铁异质结结构，通过在衬底电极层和其中一个铁磁电极之间施加外电场，在压电衬底层与第一/第二铁磁耦合区之间的耦合作用下，实现磁纳米线中磁畴壁的产生和移动，通过在两个铁磁电极上施加正电压或接地，能够实现两个不同逻辑态的输入。基于两种异质结结构，本发明提出两种逻辑器件，仅用两个逻辑输入端，实现了多种逻辑功能，具有可重构的逻辑功能，能够实现逻辑功能的切换，提升了逻辑器件的集成度；且在大规模集成的过程中，由于没有涉及到电流驱动，具有功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN110752288B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201910938124.7
申请日：2019-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非易失器件阵列构造可重构PUF的方法，属于信息安全领域。本发明利用热扰动干扰导致磁性材料磁化方向取向的随机性，利用自旋轨道力矩或者磁场来翻转磁矩，使磁矩偏离其易轴方向，在电流或者磁场撤除后，磁矩会回到易轴方向，在热扰动的干扰作用下，磁矩在易轴方向上会随机取向，将上述非易失器件组成阵列，所有非易失器件的磁矩在一次写操作后会随机分布，读取出来的状态可以用作随机密码，制备出的可重构的PUF，该PUF结构简单，随机性即安全性有保障。本发明中随机密码的可以是二态或者多态的，这与铁磁层的磁畴数目有关，从较少数目的非易失器件提取大量的激励响应对，构成强物理不可克隆函数。
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公开(公告)号：CN111829428B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010554627.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双石英晶振膜厚控制仪及误差校正方法，属于膜厚监测领域，包括：真空室，真空室内的蒸镀源、基片结构和双石英晶振片结构，真空室外的振荡器和控制装置；基片结构内含作为镀膜载体的基片；双石英晶振片结构包括：一对或多对石英晶振片，固定在真空室内壁上的第一外壳，其面向蒸镀源的一面设有第一窗口，其内设有第一转盘，每一对石英晶振片固定于第一转盘的两面，且通过导热材料相连；振荡器用于向第一窗口处的一对石英晶振片通入相同的变化电流，使之振动；控制装置用于根据石英晶振片振动产生的电子信号计算实时膜厚，并根据计算结果控制蒸镀功率，以及控制第一转盘的转动。本发明能够提高石英晶振膜厚控制仪的膜厚测量精度。
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