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公开(公告)号：CN115811927A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211602980.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N50/10
Abstract: 本发明公开了一种基于电场控制多铁异质结中磁畴壁运动的逻辑器件，属于多铁异质结以及相应器件领域。本发明提供的多铁异质结结构，通过在衬底电极层和其中一个铁磁电极之间施加外电场，在压电衬底层与第一/第二铁磁耦合区之间的耦合作用下，实现磁纳米线中磁畴壁的产生和移动，通过在两个铁磁电极上施加正电压或接地，能够实现两个不同逻辑态的输入。基于两种异质结结构，本发明提出两种逻辑器件，仅用两个逻辑输入端，实现了多种逻辑功能，具有可重构的逻辑功能，能够实现逻辑功能的切换，提升了逻辑器件的集成度；且在大规模集成的过程中，由于没有涉及到电流驱动，具有功耗低的特点。
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