一种钙钛矿单晶膜的制备方法、钙钛矿单晶膜

    公开(公告)号:CN117758365A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311837718.1

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿单晶膜的制备方法、钙钛矿单晶膜,属于光电子材料领域。所述方法包括:S1、将钙钛矿前驱体溶液与辅助溶剂混合,得到混合溶液;S2、将两片基底组合形成具有设定厚度的二维限域空间;S3、将所述混合溶液加入至所述二维限域空间中,并将所述二维限域空间的四周封闭,后进行第一变温加热,使所述混合溶液在所述二维限域空间中生成籽晶;S4、向含有所述籽晶的所述二维限域空间中再次加入所述混合溶液,后进行第二变温加热;S5、多次重复步骤S4,以使所述籽晶持续生长至设定尺寸的单晶,以得到钙钛矿单晶膜。

    钙钛矿X射线面阵探测器的制备方法、X射线面阵探测器

    公开(公告)号:CN117979793A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202311856782.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿X射线面阵探测器的制备方法、X射线面阵探测器。所述方法包括:得到含有功能层的基底;将所述含有功能层的基底固定至热蒸发设备的蒸发腔内的样品台,FABr置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟,PbBr2置于所述蒸发腔内的第二蒸发舟;将所述含有功能层的基底进行加热;将所述第一蒸发舟中的所述FABr粉末熔化及冷却为块状,以防止FABr蒸发过程中发生暴沸;将具有相等摩尔蒸发速率的FABr与PbBr2沉积在所述含有功能层的基底上,后进行退火,得到FAPbBr3层;在所述FAPbBr3层的至少部分表面设置金属电极,得到钙钛矿X射线面阵探测器。

    一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法

    公开(公告)号:CN117881256A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410040976.5

    申请日:2024-01-10

    Abstract: 本申请涉及复合材料技术领域,尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法;所述方法包括:混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液,对混合物进行静置,得到饱和混合物;于饱和混合物中加入种子层,得到种子混合物;对种子混合物进行静置,后采用苯甲醚溶剂对静置后的所述种子混合物进行溶剂退火,得到钙钛矿材料基底;以及,使钙钛矿材料基底的至少部分表面覆盖金属电极材料,得到X射线探测器件;通过引入溶剂退火的方式,可以在钙钛矿膜上形成相对稳定的热场,减少了缺陷并提升了晶体质量;而这种高质量、高均匀性的厚膜可以使得钙钛矿材料基底产生了更低的暗电流和信噪比。

    一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法

    公开(公告)号:CN114395801A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202210070728.6

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本发明涉及一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法,所述二维卤素钙钛矿分子式为A2PbX4或BPbX4,其中A代表PEA(苯乙胺)、BI(苯并咪唑)、丙胺、BA(丁胺)、PA(戊胺)中的一种或多种,B代表丙二胺、BDA(丁二胺)、PDA(戊二胺)、对苯二甲胺中的一种或多种,X为F、Cl、Br、I中的一种或多种。利用籽晶诱导的挥发溶剂法,通过在籽晶加入初期进行加热溶解,可在室温或恒温挥发下获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。该方法中溶液可重复利用,设备以及能耗要求低,可低成本获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。

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