公开(公告)号：CN109824009A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910002217.9

申请日：2019-01-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 肖东阳 ,  孙雷蒙 ,  涂良成 ,  宋培义 ,  匡双阳 ,  王玉容

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B82Y40/00 ,  F03H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的场发射离子中和器芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)准备表面抛光的SOI衬底；(2)使用光刻和刻蚀工艺去除目标区域的顶层硅及二氧化硅绝缘层，暴露底层硅；(3)在底层硅上得到阵列式的光刻胶图案，并沉积缓冲层和催化剂层，形成缓冲层-催化剂层阵列；(4)形成碳纳米管阵列得到阴极部分；(5)采用硅片作为栅极基底制备阵列式的透孔结构；(6)在透孔结构上沉积金属薄膜，得到阳极部分；(7)将阴极部分与阳极部分两者键合，得到场发射离子中和器芯片。本发明通过对制备方法整体流程工艺的设计等进行改进，得到的器件能有效克服场屏蔽效应与热效应，具有发射效率佳、功耗低和寿命长的优点。