公开(公告)号：CN115186615A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210657395.7

申请日：2022-06-10

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京邮电大学

Inventor： 原义栋 ,  张田梦 ,  王紫任 ,  宋凯旋 ,  高锦春 ,  田露

IPC: G06F30/33 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明提供一种焊球失效的球栅阵列封装中近场测量值的预测方法及系统，属于芯片封装领域。所述方法包括：通过仿真分析得到焊球失效的球栅阵列封装的辐射场；建立近场测量的等效电路模型；根据所述等效电路模型和所述辐射场计算所述等效电路模型的输出电压。本发明提供的预测方法能够快速准确的预测得到焊球失效的球栅阵列封装近场磁场的输出电压和近场电场的输出电压，为判断焊球失效对球栅阵列封装的辐射场影响提供数据依据。该预测方法准确有效，不需要搭建暗室，降低测量成本，降低近场测量值的测量误差。

公开(公告)号：CN113852427A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111176375.X

申请日：2021-10-09

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 高锦春 ,  罗俊宇 ,  毕凌宇 ,  宋凯旋 ,  王紫任 ,  王文佳

IPC: H04B17/00 ,  H04B17/20

Abstract: 本发明公开了一种基于无源互调源网络的连接器接触瓣退化的互调预测方法。本发明包括：建立单个无源互调源的输入输出信号非线性模型；建立串联无源互调源的非线性行为模型；建立并联无源互调源的非线性行为模型；建立同时具有串并联结构的无源互调源网络的非线性行为模型；使用电路仿真预测接触瓣退化的连接器的三阶互调功率值；测试接触瓣未退化的连接器随功率变化的三阶互调功率值；进行退化实验得到三种退化程度的连接器样本，并测试退化连接器样本的三阶互调功率值；最后将退化连接器的互调测量值和预测值进行比较并计算预测的误差。本发明通过建立了无源互调网络的行为模型，能够有效预测连接器的接触瓣退化时的无源互调性能变化，为连接器在工程中的长期有效使用提供了判断和依据。