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公开(公告)号:CN112158797A
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN202010880769.2
申请日:2020-08-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法,包括:在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记;在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记;利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开,露出下晶片辅助对准标记,测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差,计算出对准标记偏差,合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片,实现非透明晶片键合前对准的定量测试,本发明能确保芯片的质量和成品率。
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公开(公告)号:CN111115552A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911284371.6
申请日:2019-12-13
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器混合集成封装结构及其封装方法,包括:陶瓷管壳的内腔台阶有多个金属焊盘,底面有金属化结构;MEMS敏感结构通过粘接的方式固定在陶瓷管壳内腔底面上;PCB电路基板带有不少于一处缺口或开槽,通过标准电容作为支撑架设在MEMS敏感结构之上,电容使用导电或绝缘粘合剂粘接;金属导线穿过PCB基板的缺口或开槽将MEMS敏感结构和PCB电路基板连接;PCB电路基板通过金属导线与陶瓷管壳内腔金属焊盘相连;金属盖板通过平行封焊与陶瓷管壳侧壁相连,形成气密封装。本发明通过使用标准化管壳和PCB基板,可在较低成本下和较短时间内实现较小面积的MEMS传感器系统集成,同时具有较好的温度特性。
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公开(公告)号:CN111044757A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201911360780.X
申请日:2019-12-25
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种三层键合的电容式微加速度计结构电极引出方法,(1)生成上玻璃极板;(2)生成下玻璃极板;(3)生成中间硅-质量块极板;(4)生成三明治加速度计圆片;(5)生成电极焊盘。使用所述方法避免了划片工艺中水进入腔体内引起器件失效的问题,可进行晶圆级加工和实现圆片级键合,适合大批量生产。
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