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公开(公告)号：CN109449277A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811239379.6
申请日：2018-10-23
Abstract: 一种双层/多层热电器件，属于热电转换技术领域。双层/多层热电器件至少包含对应两个不同温度段的热电分模块以及位于两者之前的绝缘材料层，至少一个热电分模块中包含一种低温电导率较低而高温电导率较，即高温ZT值比低温ZT值高10倍以上的热电材料；所述室温电导率较低而高温电导率较高的热电材料对应高温段热电分模块；每个热电分模块包含若干对n型和/或p型热电臂，每个热电臂的内部结构为五层，自上向下为:高熔点金属层，金属化层，热电材料，金属化层，高熔点金属层。所得双层/多层热电材料器件在即使温差只有300k以下时，仍然能保持最大转化效率ηmax不小于3％。本发明对烧结工艺的要求不高，对设备的要求更低，生产成本低廉，更加适合工业大规模生产的要求。
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公开(公告)号：CN105355770B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510670603.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种C和Al共掺杂ZnO热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域，所述制备方法以氯化锌和硝酸铝为原料，所述氯化锌和硝酸铝的摩尔量按照化学通式Zn1‑xAlxO进行配置，其中，0.005≤x≤0.5mol，添加C源，并利用水热法结合放电等离子烧结技术，制得相对密度大于90%的C和Al共掺杂ZnO块体热电材料，所述C和Al共掺杂ZnO热电材料的功率因子为4×10‑4～12×10‑4Wm‑1K‑2。本发明通过水热法并结合放电等离子烧结技术制备得到的C和Al共掺杂ZnO块体热电材料相对密度较高，大于95%，制备过程中烧结温度高在900～1400℃，通过所掺杂的C源的选择克服了常规技术中高的烧结温度不利于C掺杂ZnO的局限；并进一步提高了ZnO材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN103708820A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310743440.1
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 一种Ga掺杂ZnO织构热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以乙酸锌和硝酸镓为原料，按照化学通式Zn1-xGaxO(0.001≤x≤0.5mol)配置，三乙醇胺作为表面活性剂，去离子水为溶剂，pH值为7.0~9.0，在120～240℃水热反应4～80h，制备了由10～800nm纳米颗粒自组装而成的直径为1～10μm的纳微复合球状粉体，再通过放电等离子烧结技术，在压力30～200MPa，温度为850～1400℃下，保温烧结1～30min，制备得到织构度为10～55%Ga掺杂ZnO块体材料，晶粒尺寸为100~900nm。该方法能够简单、快捷地制备同时具有纳米和织构结构特征的Ga掺杂ZnO块体材料，在提高载流子迁移率的同时降低热导率，使热电性能得到提高。
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公开(公告)号：CN102674842A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210148701.0
申请日：2012-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/547
Abstract: 一种Cu-S-Se三元热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明提供了一种制备三元Cu-S-Se热电材料的方法，其特征是：以高纯金属单质Cu粉末及高纯Se和S粉为原料，按照化学通式Cu1.8S1-xSex配置（其中x为Se组成元素的摩尔分数，x取值范围为0.01≤x≤0.99），采用机械合金化法合成化合物粉体，通过放电等离子烧结制备块体。该方法能够简单、方便、精确地制备Cu-S-Se三元块体材料，该三元系热电材料具有优异的中温区热电性能。
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公开(公告)号：CN102621617A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210050394.2
申请日：2012-02-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供了一种可电场调控宽波反射的液晶圆偏振片的制造方法，属于功能材料液晶显示技术领域。该方法通过将一维纳米材料与胆甾相液晶混合并灌注液晶盒或薄膜中，施加不同电场来控制反射波宽。其优点在于成分和工艺简单，偏振片的反射波宽可根据实际需要通过电场进行控制，并可实现可逆调控。可应用在功能薄膜和器件上，如智能玻璃、电子纸张、液晶显示器光增量膜等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101773838B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010034474.X
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: B01J23/89
Abstract: 一种银纳米颗粒分散四氧化三钴功能薄膜材料及制备方法，属于光催化领域。其特征是薄膜材料化学成分组成通式为Agx/(Co3O4)1-x，其中x表示Ag组成元素的摩尔分数，x的取值范围为0.01≤x≤0.85。工艺上以硝酸钴，硝酸银为原料，乙二醇独甲醚为溶剂，采用化学溶液法合成化学计量比准确、成分均匀的前躯体溶液，然后采用匀胶机在玻璃基片上进行涂膜，经过热分解与退火处理最后得到Agx/(Co3O4)1-x复合薄膜。银纳米颗粒均匀分散于四氧化三钴基体中，银颗粒直径均为1～500nm，薄膜在350～450nm波段观察到金属颗粒的等离子体共振吸收峰，在可见光照射下，具有优良的光催化性能。
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公开(公告)号：CN102320647A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110236749.2
申请日：2011-08-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种不同化学计量比的硫化铜纳米粉体的制备方法，属于纳米材料技术领域。其特征是：以金属单质铜粉（质量分数大于99.9%）和单质硫粉（质量分数大于99.8%）为原料，按照化学通式Cu2-xS配置，x表示(-0.5≤x≤1.5)配比，在氩气气氛保护下，球磨转速为100~425rpm球磨5~600min，获得化学计量比可调的单相硫化铜纳米粉体，尺寸为1~500nm。该方法所需原料廉价易得，设备简单易操作，工艺流程短，能够方便、快速地大规模生产不同化学计量比的硫化铜纳米粉体，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101752495B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910180635.3
申请日：2009-10-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2-xAg3xS3热电材料及其制备方法，属于能源材料的技术领域。本发明是将Bi、S和Ag按照化学计量比Bi2-xAg3xS3配置，其中x代表Ag的摩尔分数，取值范围为0.001≤x≤1。将高纯(99.99％)的Bi元素、S元素和Ag元素的粉末状单质按照最终产物化学计量比配置，进行机械合金化合成粉末，使用放电等离子烧结成块体。该材料的优点在于Ag的掺入大大降低了材料的电阻率，在热导率变化不大的同时取得了较高优值。制备方法的优点在于操作简单、廉价易得、时间短、颗粒尺寸可控、致密度高、机械性能好、热电性能较纯Bi2S3有大幅提高，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN101767007A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010034475.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种铜纳米颗粒分散四氧化三钴功能薄膜材料及制备方法，属于光催化领域。其特征是薄膜材料化学式为Cux/(Co3O4)1-x，其中x表示Cu元素的摩尔分数，x的取值范围为0.01≤x≤0.85。工艺上以硝酸钴和硝酸铜为原料，乙二醇独甲醚为溶剂，采用化学溶液法合成化学计量比准确、成份均匀的前驱体溶液，然后用匀胶机在玻璃或石英基片上涂膜，最后在H2-Ar2混合气氛中退火得到Cux/(Co3O4)1-x复合薄膜。直径分布在1～500nm范围内的铜纳米颗粒均匀分散于四氧化三钴基体中，薄膜在550～580nm波段范围观察到金属颗粒的等离子体共振吸收峰，通过检测涂覆在薄膜上有机染料的吸光度值发现，该薄膜在可见光照射下具有优良的光催化性能。
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公开(公告)号：CN101692478A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910180636.8
申请日：2009-10-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种非化学计量比Bi-Ag-S系热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明提供了一种制备非化学计量比Bi-Ag-S材料的方法，其特征是：以高纯金属单质Bi、Ag粉末及高纯S粉为原料，按照化学通式Bi2-xAgxS3、Bi2-xAg3xS3-y配置(其中x为Ag组成元素的摩尔分数，x取值范围为0.001≤x≤1，y为硫元素欠量的摩尔分数，y取值范围为0＜y≤1.5)，采用机械合金化法合成化合物粉体，通过放电等离子烧结制备块体。该方法能够简单、方便、精确地制备出非化学计量比的Bi-Ag-S系块体材料，通过组分非化学计量比控制材料载流子浓度和主要载流子种类，提高热电性能。
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