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公开(公告)号：CN115064582A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210944541.4
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底内形成有第一阱区、第二阱区、体区和漂移区；场板，形成漂移区的顶部，具有向上突出于漂移区表面的台阶部和向下凹陷至漂移区内的突出部，台阶部具有同一水平高度，突出部为中间厚两端薄的构型；至少两个具有第一导电类型的反型体，反型体为月牙型构型，形成于场板的突出部的下方且位于突出部的两端位置；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内远离源极的一侧，栅极形成于漂移区和体区的上表面，且栅极的多晶硅覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管，能够降低场板两端的表面电场，提高击穿电压，提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114722882B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210561341.0
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开了一种脉冲电场数据的处理方法与系统。所述处理方法包括：获取脉冲电场波形中的多个极大值点；对所述多个极大值点进行拟合，以获取所述脉冲电场波形的包络线；以及根据所述脉冲电场波形的包络线，获取所述脉冲电场波形的特征参数值。本发明可简单且有效地对开关设备等操作所产生的脉冲电场数据进行处理，以准确地获取相应的特征参数值，从而可及时监测二次设备周围的电磁环境的突变情况。
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公开(公告)号：CN115034359A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210539888.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及人工智能技术领域，且公开了一种神经网络的计算方法、装置、存储介质及芯片，其中方法包括：读取VLIW指令，VLIW指令包括SIMD扩展指令子集，SIMD扩展指令子集包括数据传输指令、数据转移指令和智能计算指令中的至少一种；响应于SIMD扩展指令子集中的所有指令，通过智能处理器并行执行相应的数据操作，以进行神经网络的智能计算。该方法可通过对SIMD扩展指令子集中的指令进行扩展，实现不同神经网络的适应性结构映射和数据流维护，同时采用VLIW和SIMD指令形式，能够提高指令级并行和数据级并行性能，从而既能获得执行效率，保障计算灵活性，又能降低计算能耗，提高计算能耗比。
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公开(公告)号：CN115020478A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210944506.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；第一外延层，由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，为顶部具有条形梳齿的梳状结构；第二外延层，由具有第一导电类型的硅材料制成，形成于第一外延层上并填充梳齿之间的空隙；具有第二导电类型的漂移区，形成于第二外延层内；具有第一导电类型的体区，形成于第二外延层内漂移区两侧；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内，场板形成于漂移区表面，栅极形成于漂移区和体区表面并覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管能够提高击穿电压，降低器件的温度，提高器件的性能和可靠性，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114978243A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210531401.4
申请日：2022-05-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及通信领域，公开一种多模通信设备组网方法、通信方法及其系统、设备和芯片。所述组网方法包括：向入网节点发送关于其与待入网节点之间的可用通信模式的应答信息，该可用通信模式被划分为多个集合，每个集合中的模式彼此不兼容且不同集合中的模式兼容；及通过组网协商过程在满足预设协商结果时将基于应答信息选择的每个集合中的最优模式锁定为所述两个节点间的握手信息，以由入网节点根据握手信息上报相应路由信息，以供根节点更新组网路由信息，其中从每个集合中最多选择一个最优模式，得到多个最优模式，该多个最优模式在同一时刻被采用，本发明可确定任意相邻两层节点之间的多个相互兼容的最优模式，从而确保组网后高质量的通信性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114935675A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210880438.8
申请日：2022-07-25
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电能表及测量电流的方法，涉及电能表计量技术领域，所述电能表包括信号采集单元和信号处理单元，所述信号采集单元，包括至少一组磁芯和反馈线圈；所述反馈线圈缠绕所述磁芯产生补偿磁场，用于闭环检测；所述磁芯上设有磁敏芯片，用于检测待测电流产生的感应磁场的磁场信息，所述待测电流为交直混合电流；所述信号处理单元，用于根据所述磁场信息确定所述待测电流的交流值和直流值。所述电能表可同时检测直流电和交流电，且结构简单，检测精度高。
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公开(公告)号：CN114720739B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210561153.8
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器，所述方法包括：根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸，确定具有特定结构的传输线的尺寸；根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值，确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗；根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗，建立脉冲电场发生器的等效电路模型；及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形，优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸，由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形，并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN114925650A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210863596.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/32
Abstract: 本发明提供一种SOC芯片单元混合布局方法和系统，属于集成电路版图设计领域。所述方法包括：获取前端网表，根据所述前端网表形成初始布局规划；确定需要混合布局的模块单元；根据所述初始布局规划和需要混合布局的模块单元确定用于限制需要混合布局的模块单元的放置位置的限制框；将需要混合布局的模块单元混合放置在所述限制框内。使用上述方法在布局过程中将同层级的SOC芯片单元混合布局，使得SOC芯片单元的运算时间、功耗以及电磁辐射等物理信息不具有规律性，攻击者无法通过分析物理信息来猜测安全芯片的密钥信息，提升安全芯片防功耗攻击的能力。
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公开(公告)号：CN114441923B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210367078.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种瞬态热阻的模拟系统与方法。所述模拟系统包括：信号生成装置，用于生成一组激励信号，其中该组激励信号中的不同激励信号具有相同的占空比与不同的周期；测量电路，用于将所述不同激励信号分别施加在IGBT模块的等效热阻模型的两端，以测量所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻；以及转换装置，用于将所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻转换成所述占空比下的IGBT模块的瞬态热阻曲线。由此，本发明可搭建出一套针对IGBT模块的等效热阻仿真电路，通过改变仿真电路中的脉冲方波激励信号来快速获取IGBT模块的瞬态热阻曲线。
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公开(公告)号：CN114420182B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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