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公开(公告)号：CN104979189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510366328.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于：刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用；真空度低于10Pa后，通入氮气在N2，气氛中升温到900‐1100℃，通入氢气，打开射频电源，将射频功率调到40‐150W，电离N2和H2，对基底进行刻蚀，此时气压为30‐100Pa，持续0.5‐2个小时；刻蚀结束后，关闭射频与停止通入氢气，冷却到室温。本发明无需使用任何模板，直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案，并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104674187A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103691897A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310664316.6
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22D11/06
Abstract: 一种凹面转盘式单辊快淬制备非晶薄带的方法，属于非晶薄带制备技术领域，采用凹面转盘式单辊，凹面转盘式单辊，在圆柱的顶端向内缺失一倒立的圆锥所得单辊为凹面转盘式单辊，凹面转盘式单辊内侧表面为所述的凹面，凹面直径向内逐渐变小，即缺失的圆锥的底面在圆柱的顶端，熔体喷射在围绕圆锥中心轴旋转的凹面转盘式单辊内侧的凹面上，使熔体所受离心力的方向由圆筒式单辊的垂直于接触面向上变为与接触面有夹角并指向接触面内部，在内侧凹面边缘非晶薄带冷却自身收缩和离心力作用下自行脱离辊轮。本发明制备的薄带尺寸更薄、表面光洁度更高、性能更好。
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公开(公告)号：CN102936006B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210410794.X
申请日：2012-10-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103500769A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310412715.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/055 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02168 , H01L31/02363
Abstract: 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁，利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构，利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒，利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构，利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内，其表面反射率降低到4%以下，且经过表面化学修饰后，表面接触角大于150°。
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公开(公告)号：CN103367474A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN103280490A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310193772.7
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103266352A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310163296.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。
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