-
公开(公告)号：CN104949959A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510406413.4
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法，属于SERS衬底制备领域。本发明在单晶硅表面覆盖周期密排的微球阵列；采用激光扫描或辐照后去除表面残留的微球；然后浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中，水浴温度70-80℃环境中，腐蚀10-30s，取出使用去离子水清洗，得到具有微结构阵列的单晶硅片，水溶液中，氢氧化钠的质量百分比为5％-10％，乙醇的质量百分比为8％-10％；利用磁控溅射在刻蚀后的单晶硅表面进行银薄膜沉积，沉积厚度为50-200nm。本发明能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的微结构阵列，通过对微结构阵列形貌尺寸特征及银膜厚度的控制，可以对SERS衬底的性能进行调控。同时，该方法重现性高，成本较低，所制备出的SERS衬底性能稳定，可重复利用。
-
公开(公告)号：CN103862179A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410090887.8
申请日：2014-03-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/364 , B23K26/402
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K2103/52
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷表面精细结构激光加工方法，将光纤上的涂覆层剥离后铺设于陶瓷表面上；通过皮秒级脉宽激光对陶瓷表面上的光纤覆盖区进行扫描辐照，皮秒级脉宽激光通过陶瓷表面上的光纤引导产生局域光场增强效应，在陶瓷表面上加工出沟槽；根据步骤二中加工沟槽的情况设置激光器参数，使用皮秒级脉宽激光对陶瓷表面上铺设的光纤覆盖区进行扫描辐照，在陶瓷表面上加工出与光纤排布相同的精细凹槽阵列。本发明通过采用光纤引导皮秒级脉宽激光光束，实现在具有高熔点、高硬脆物理特性的陶瓷表面可以同时获得多条精细刻线，刻线边缘光滑无裂纹和热影响区，线径尺寸均匀，刻线尺寸突破聚焦光束最小直径限制。
-
公开(公告)号：CN102534129A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110369805.X
申请日：2011-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: C21D1/09
Abstract: 一种激光叠片侧面辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金方法，属于纳米材料技术领域。其特征在于利用波长为10.6μm的CO2激光和波长为1.07μm的掺镱光纤激光辐照侧面辐照叠在一块的环状铁基非晶合金(Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9)，材料会产生定量纳米晶化相，本发明方法能够在常温常压下，针对多片环状材料，快速、可控、环保、低能耗地利用激光辐照方法同时制备出多片铁基非晶纳米晶合金；通过选择不同的激光辐照工艺参数，制备出不同含量的纳米α-Fe(Si)晶化相加剩余非晶的双相组织结构材料；纳米晶α-Fe(Si)的平均尺寸在10nm左右，晶化比例大于50％，矫顽场小于1.2A/m，初始磁道率达到2.07x104A/m，最大磁道率为12.8x104A/m，材料的综合磁性能和传统热处理很接近。
-
公开(公告)号：CN100493815C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710118477.X
申请日：2007-07-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种硬脆性非金属材料的激光无损伤切割方法属于激光材料加工领域。传统加工方法对硬脆性材料的无损伤切割难度极大。该方法特征在于：将聚焦激光束在0.05～0.5s的时间内在材料上打一个透孔，确定激光峰值功率为700～4000W；采用4%～50%的占空比，在700～4000W峰值功率下，配合压力为1～5×105Pa的辅助气体，以100～500mm/min的光束或工件移动速度，0.05～0.2mm的打孔间距，沿加工路径打出一系列孔径为0.05～065mm的透孔，透孔边界彼此衔接或叠加，以此相连完成材料的切断。该方法可有效减少加工区域的局部热效应，完成硬脆性非金属材料多种加工面及多种形状单元的无损伤切割。
-
公开(公告)号：CN101323228A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810116506.3
申请日：2008-07-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用激光改色白珊瑚的方法，属于无机物的改性领域。珊瑚的激光改色由以下方法制得：将白珊瑚置于转动平台上，以激光为热源进行辐照预热，辐照采用单面扫描辐照方式，激光光斑面积覆盖整个样品的表面，转动平台的转速为24rad/min，辐照预热时间为30～60s，激光的功率密度为8～12w/cm2；预热结束后，将激光的功率密度提高到16～20w/cm2继续辐照白珊瑚样品，辐照时间为40～120s后，关掉激光光源，样品冷却至室温。通过激光辐照引起的色心缺陷，达到将白珊瑚颜色由白色变成浅棕红色的目的，改色后珊瑚样品无破损，外观平滑；本发明可快速改变白珊瑚的颜色，工艺简化，能耗低，时耗小，大大节约制备成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100420653C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200610165256.3
申请日：2006-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1-xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后，以激光为热源进行辐照预热，时间30～60s，温度150～300℃；预热后升温，速度10～20℃/min，升温至800～1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气；30～120s后沿轴向方向作提拉运动，速度为0.02～0.06mm/s；提拉1～10mm后降温关光，继续通氧气或氮气3～10min。该陶瓷平均相对密度大于97%，Tc可达400℃以上，d33在30～70pC/N之间。
-
公开(公告)号：CN101077551A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710118477.X
申请日：2007-07-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种硬脆性非金属材料的激光无损伤切割方法属于激光材料加工领域。传统加工方法对硬脆性材料的无损伤切割难度极大。该方法特征在于：将聚焦激光束在0.05～0.5s的时间内在材料上打一个透孔，确定激光峰值功率为700～4000W；采用4％～50％的占空比，在700～4000W峰值功率下，配合压力为1～5×105Pa的辅助气体，以100～500mm/min的光束或工件移动速度，0.05～0.2mm的打孔间距，沿加工路径打出一系列孔径为0.05～065mm的透孔，透孔边界彼此衔接或叠加，以此相连完成材料的切断。该方法可有效减少加工区域的局部热效应，完成硬脆性非金属材料多种加工面及多种形状单元的无损伤切割。
-
公开(公告)号：CN1974481A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610165256.3
申请日：2006-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1－xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后，以激光为热源进行辐照预热，时间30～60s，温度150～300℃；预热后升温，速度10～20℃/min，升温至800～1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气；30～120s后沿轴向方向作提拉运动，速度为0.02～0.06mm/s；提拉1～10mm后降温关光，继续通氧气或氮气3～10min。该陶瓷平均相对密度大于97％，Tc可达400℃以上，d33在30～70pC/N之间。
-
公开(公告)号：CN1670268A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510002279.8
申请日：2005-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属晶体生长领域。方法为激光辐照掺杂Al2O3陶瓷棒的下端使其熔融，其下端放籽晶，晶体由下至上快速生长。装置包括真空炉，内壁由侧保温屏(2)、上保温屏(7)、下保温屏(8)围成，炉内包括位于炉体中轴线上的结晶杆(5)、升降杆(1)，特征为顶部连接籽晶槽(4)的结晶杆(5)穿过下保温屏(8)，连接料夹(10)的升降杆(1)穿过上保温屏(7)，炉体一侧开激光入射窗(3)，另一侧开与激光入射窗(3)不在同一水平线上的观察窗(9)；炉体之外另附真空系统，2套伺服电机及控制系统作为结晶杆(5)及升降杆(1)的升降旋转系统；观察窗(9)外侧测温仪用于温度测量与反馈。本发明可快速生长直径大约为15毫米的蓝宝石晶体。
-
公开(公告)号：CN1587200A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410050131.7
申请日：2004-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种Ta2O5基透明陶瓷制品及其激光快速制备方法，属于陶瓷材料制备领域。该陶瓷由以下方法制备：将Ta2O5粉料或按化学计量配比92∶8混合的Ta2O5和TiO2粉料，在1200℃～1350℃预烧4.8～5.6小时，然后压成Ta2O5基陶瓷坯材；在50～90s时间内，采用功率密度800～1250w/cm2的激光辐照上述Ta2O5基陶瓷坯材，进行预热；上述预热结束后，采用功率密度4800～5700w/cm2的激光烧结30～50s后，试样冷却至室温。该Ta2O5基透明陶瓷(如图所示)密度高，最低相对密度大于97％，平均相对密度近似理论密度；所用原料粉可以为普通工业用粉料，工艺简化，能耗低、时耗小，大大节约制备成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.021 seconds)
