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公开(公告)号：CN118783925A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410914195.4
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种低功耗触发器，包括两锁存器和若干反相器；主锁存器的两控制信号端之间连接有反相器，主锁存器的两数据输入端之间连接有反相器；从锁存器的数据输入端与主锁存器的数据输出端相连，从锁存器的两控制信号端之间连接有反相器；当输入的控制信号CK＝0时，CK’＝1，主锁存器进入数据输入阶段，从锁存器进入数据保持阶段；当输入的控制信号CK＝1时，CK’＝0，主锁存器进入数据保持阶段，从锁存器进入数据输入阶段。本发明通过使用交叉耦合型的电路结构实现在仅使用N型晶体管的情况下实现全互补的锁存器结构，极大降低电路的功耗；且采用正反馈的工作方式，同时添加额外晶体管实现无数据竞争的目的,使得电路的速度得到很大提升。
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公开(公告)号：CN118733946A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410295350.9
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种针对softmax函数的高精度近似计算装置，包括第一模块、第二模块和第三模块，第一模块包括第一零值预测单元、第一softmax函数计算单元和第一选择器单元，第二模块包括第二softmax函数计算单元，第三模块包括第二零值预测单元、第三softmax函数计算单元和第二选择器单元，第一零值预测单元和第二零值预测单元用于根据其对应输入的数据预测该装置的输出数据是否为零值，以进行跳除后续计算。第一softmax函数计算单元、第二softmax函数计算单元和第三softmax函数计算单元用于实现softmax函数的高精度计算，第一选择器单元和第二选择器单元用于选择最后的输出数据。本发明能够极大降低计算装置的功耗、面积等开销，提高装置能效。
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公开(公告)号：CN112701084B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011592468.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/121 , G09F9/30
Abstract: 一种柔性薄膜晶体管阵列的结构及制造方法，其结构中包括基板和基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中，薄膜晶体管中的有源层与所述基板垂直，还包括金属连线，所述金属连线用于将各个薄膜晶体管连接至扫描模块或数据模块中，所述金属连线是具有弯折路径的连线。由于有源层与所述基板垂直，并且布线中的金属连线是具有弯折路径的连线，当器件被弯折时，器件受到应力减小，提高了各个晶体管的稳定性，并且金属连线为具有弯折路径的连线，金属连线受力时不易折断，耐受能力强，能够进一步改善整体柔性薄膜晶体管阵列受弯曲或拉伸时应力问题，提高整个柔性薄膜晶体管阵列的稳定性。
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公开(公告)号：CN115549671A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211379510.5
申请日：2022-11-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H03K19/0175
Abstract: 一种用于超宽范围电压转换的低功耗电平转换器，下拉电路用于在低压电源域的电平为高电平时，将节点Q1下拉至低电平，以及在低压电源域的电平为低电平时，将节点Q2下拉至低电平，在下拉电路将节点Q1下拉至低电平的过程中，第一充电电路用于输出电流至节点Q2，使得节点Q2的电位上升，在下拉电路将节点Q2下拉至低电平的过程中，第二充电电路用于输出电流至节点Q1，使得节点Q1的电位上升，互补上拉电路用于在节点Q1为低电平时，将节点Q2上拉至高压电源域的高电平，以及在节点Q2为低电平时，将节点Q1上拉至高压电源域的高电平。由于互补上拉电路和下拉电路之间消除或降低了竞争，使得电平转换时电平的电压差范围较宽，降低了电平转换时的转换能耗。
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公开(公告)号：CN112164358B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202011037598.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/00 , G09G3/3233
Abstract: 本发明提供一种反馈信号检测方法及像素外模拟域补偿显示系统，系统包括M列驱动通道；每一列驱动通道包括像素单元和检测单元；检测单元包括源驱动模块和检测模块；检测模块包括比较器。源驱动模块内设置有第一数模转换器和第二数模转换器。源驱动模块通过显示信号线连接至像素单元。比较器的第一输入端通过反馈信号线连接至像素单元，其第二输入端连接至第二数模转换器，其输出端用于将检测结果输出。本发明利用数模转换器和比较器进行搭配检测目标像素单元反馈的老化信息，可以对TFT、OLED和QLED等器件做检测，本发明还分利用了显示系统中已有的模块，不会增加芯片面积，优化了显示系统的整体设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216235B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011037580.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/00
Abstract: 本发明提供一种反馈信号检测方法及显示系统，系统其包括M列驱动通道；每一列驱动通道包括像素单元和检测单元；检测单元包括源驱动模块和检测模块；源驱动模块包括数模转换器，检测模块包括比较器；数模转换器通过显示信号线连接至像素单元；比较器的第一输入端通过反馈信号线连接至像素单元，用于接收像素单元的反馈信号所对应的反馈电压；其第二输入端连接至参考用数模转换器，用于接收参考用数模转换器输出的比较电压；其输出端用于将反馈电压与比较电压进行比较所得的检测结果输出。本发明的显示系统采用数字域补偿方法，利用数模转换器搭配比较器检测反馈的老化信息，可以对TFT、OLED和QLED等器件做各种检测。
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公开(公告)号：CN112599078A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011495974.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32 , G09G3/3225 , G09G3/3258
Abstract: 本发明提供一种像素单元及像素外模拟域补偿显示系统，像素单元包括驱动管、第二开关管、第三开关管、发光二极管、第一电容和第二电容；显示系统包括M列驱动通道，每一列驱动通道包括检测单元上述像素单元，检测单元包括源驱动模块和检测模块，检测模块包括比较器。本发明的像素单元不需要按照传统的电流源设计方案去控制驱动管Q1的栅源电压差从而控制驱动管Q1提供给发光二极管T1的电流，从而在传统方案的基础上实现了改进。本发明的显示系统通过重复使用已有的模块，直接检测像素单元驱动管的阈值电压以及OLED的阈值电压变化情况，优化了显示系统的整体设计。
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公开(公告)号：CN111882028A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010514287.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种用于卷积神经网络的卷积运算装置,涉及电子信息以及深度学习技术领域，用于对待卷积矩阵与卷积核矩阵进行卷积计算以获取卷积结果矩阵，包括待卷积矩阵控制器、卷积核矩阵控制器和卷积运算模块。待卷积矩阵控制器和卷积核矩阵控制器分别按卷积顺序获取待卷积矩阵和卷积核矩阵的标签矩阵，只有当待卷积矩阵和卷积核矩阵的标签矩阵的相同位置上的元素值均为预设值时，才将与标签矩阵的元素对应的待卷积矩阵和卷积核矩阵的元素进行卷积运算以获取卷积结果矩阵。由待卷积矩阵和卷积核矩阵的标签矩阵的相同位置上的元素值均为预设值而引入的稀疏性要远大于待卷积矩阵和卷积核矩阵，使得卷积运算的计算量降低，进而加速卷积神经网络的运算速度。
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公开(公告)号：CN111652359A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010447057.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种用于矩阵运算的乘法器阵列和用于卷积运算的乘法器阵列,用于将卷积核矩阵与待卷积矩阵进行卷积计算以获取卷积矩阵的乘法器阵列,包括编码器、查找表LUT、乘法器矩阵。其中，编码器先依次对卷积核矩阵的元素的部分积进行编码以获取部分积查找表，并存储至查找表LUT中。乘法器矩阵包括多个乘法单元，每个乘法单元对待卷积矩阵中的一个元素进行拆分，并将拆分获取的多个拆分单元输入给查找表LUT以获取对应的编码值，再将从查找表LUT中获取的多个编码值求和，最后将每个乘法单元获取的和累加以作为卷积矩阵的一个元素。由于采用LUT查表法乘法器代替用于卷积计算的乘加单元，将乘法计算转化为加法计算，可以大大降低乘法器阵列电路的面积和功耗。
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公开(公告)号：CN109785800A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910163742.9
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3266 , G09G3/3291
Abstract: 一种实施例的微显示像素电路，采用“源极跟随”结构提取驱动晶体管的阈值电压，并且存储于耦合电容C1上，以补偿驱动晶体管阈值电压不均匀性。在阈值电压提取阶段，参考电位VREF加于驱动晶体管的控制极(例如栅极)，驱动晶体管第二极(例如源极)电位被抬高直至驱动晶体管关断，于是驱动晶体管的阈值电压被存储在耦合电容C1的两端。在发光阶段，耦合电容C1两端存储的编程电压中包含的驱动晶体管阈值电压信息能够被消除，从而能够补偿驱动晶体管的阈值电压不均匀性。
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