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公开(公告)号:CN103224231A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201310143181.9
申请日:2013-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法,属于材料加工领域。该方法针对化学气相沉积法(CVD)在镍等金属薄膜上制备的石墨烯,利用稀酸溶液与金属衬底发生反应生成的氢气气泡分离石墨烯层和金属衬底。该方法无需在石墨烯上层覆盖PMMA等聚合物转移载体,因此不会引入聚合物污染物,并可大幅减少石墨烯表面的破损,且剥离过程是由于通过酸性溶液与金属薄膜之间直接的化学反应,可实现金属薄膜上、下表面的石墨烯同时与金属薄膜分离,效率高,无需外接电源、无需利用电化学反应。操作工艺简便,不涉及有害化学物质。并可以多次重复使用金属衬底,大幅降低成本。本发明在大规模制备石墨烯的工业领域中具有较大应用价值。
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公开(公告)号:CN103208685A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201310126329.8
申请日:2013-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀石墨烯电极及其制备方法和应用,属于电子器件领域。该耐腐蚀石墨烯电极是利用化学气相沉积法在铜或镍等金属电极的表面覆盖石墨烯层,形成石墨烯-金属复合结构作为电极。由于石墨烯具有良好的结构特、电学和热学特性,该石墨烯-金属复合结构具有较强的抗氧化、抗腐蚀能力,导电性良好,机械强度高,耐磨损等特点。同时制备工艺简单,成本低廉,是替代贵金属插座、插头及电极的理想材料。
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