基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法

    公开(公告)号:CN1983509A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200510126469.0

    申请日:2005-12-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法,它包括以下三个主要步骤:计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求,为FIB加工条件的选择提供依据;对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理;根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括:离子束束流大小的选择;沉积保护层材料及厚度的选择;辅助刻蚀槽的设计和加工;放大倍数的选择及刻蚀图形的设计;半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。

    一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法

    公开(公告)号:CN115274386B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202210792857.6

    申请日:2022-07-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法。本发明包括:离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机,采用聚焦离子束的焦点,在图形扫描控制系统的精密控制下,在硅基固态薄膜上定位扫描,可以实现固态纳米孔尺寸的精密可控制备;在加工过程中,能够通过透过纳米孔加工区域的离子束成像衬度,实时监测纳米孔的加工过程,获得可控的离子束加工参数,进一步提高加工精度;采用阵列载样台实现固态纳米孔的批量化精密加工,极大提高了加工效率,单个固态纳米孔的加工周期极大缩短;旨在制造尺寸在1μm与5nm之间的固态纳米孔,以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。

    电子束扫描的控制方法、装置、设备、介质和程序产品

    公开(公告)号:CN117991593A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211342390.1

    申请日:2022-10-31

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 朱瑞 徐军

    Abstract: 本申请涉及一种电子束扫描的控制方法、装置、设备、介质和程序产品。方法包括:先基于目标版图获取扫描数据序列,然后根据扫描数据序列生成扫描填充信号序列,最后根据扫描填充信号序列,控制电子束进行目标版图的扫描处理。采用本方法能够形成一种新的扫描方式,生成的扫描数据序列数据量较小,便于传输、存储以及扫描信号的填充处理,因此可以极大地提高曝光的工作效率。

    一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法

    公开(公告)号:CN113296372B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202110566122.7

    申请日:2021-05-24

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器,实现了静电偏转器的系统控制,采用层级控制关系,通过层级的控制信号传递控制参数,系统采用统一的通讯协议和接口,用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控;静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调,使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度;此外,系统在控制参数作用下,将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号,保证了扫描信号生成速度,实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。

    一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法

    公开(公告)号:CN104330430B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410446840.0

    申请日:2014-09-02

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括:真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜,聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面,通过调节激光束的入射位置,实现激光入射角度的连续变化,并且可以改变激光的波长和偏振态,可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤,仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度,且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。

    一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法

    公开(公告)号:CN104134604B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201410158183.X

    申请日:2014-04-18

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括:真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场,控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔,从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数,获得上述电子源电子发射的定量化参数,为评价场发射电子源性能,优化场发射电子源制备工艺,完善场发射电子源制备平台提供定量依据。

    一种微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法

    公开(公告)号:CN105203360A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510598641.6

    申请日:2015-09-18

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法。本发明先在平板上加工出凹槽,然后将混合有微米级颗粒样品的固化胶填充到凹槽中进行加热固化,冷却后取出,得到片状块体样品,在样品托上对片状块体样品的两个表面进行手工研磨及抛光得到样品薄片,然后用固化粘结剂粘支持环,加热去掉样品托,同时使支持环固化粘接在样品薄片上,再修整好样品,最后进行离子减薄得到微米级颗粒TEM样品;本发明的制备方法,操作工艺简单,使用的制样设备和技术成熟,制样成功率高,实用性强,适合于多种微米级颗粒样品的制备。

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