公开(公告)号：CN109817615A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910026317.5

申请日：2019-01-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  张立忠 ,  何燕冬

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例提供了一种基于FDSOI gg-NMOS辅助触发的ESD保护器件，在P型衬底内设置N阱注入区，且N阱引出区与漏区连接，可以获得体硅级别的ESD电流泄放能力，满足FDSOI工艺下内部核心电路的ESD设计窗口的要求，可以在ESD到来时起到有效的保护作用。

公开(公告)号：CN104392983A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410637764.1

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭海兵 ,  陆光易 ,  张立忠 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H01L23/60

Abstract: 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护电路领域，尤其涉及一种利用瞬态触发的、维持电压可调的ESD保护电路。该维持电压可调的静电放电保护电路包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅，所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括，维持电压调节模块；所述维持电压调节模块，与所述可控硅相连，包括：电阻R2、电容C2、反相器INV1、以及PMOS晶体管Mp1和MP2。本文提供的维持电压可调的静电放电保护电路，能够保证芯片在非工作状态时，维持电压大大低于电源电压，以更充分地泄放静电电荷；芯片在工作状态时，维持电压大于电源电压，以避免闩锁效应。