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公开(公告)号：CN115073360B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110267395.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D211/90 , C07B57/00
Abstract: 本发明公开一种以醋酸纤维素作为结晶拆分剂拆分尼莫地平的新方法。醋酸纤维素可以抑制S‑尼莫地平的结晶，使得R‑尼莫地平有效结晶析出。利用该方法，一次结晶可以得到对映体过量值(ee％)在69‑97％左右，产率最高可以达到9‑15％。该方法提供了醋酸纤维素这种原料广泛、合成简便、价格便宜的结晶拆分抑制剂，使得尼莫地平的分级结晶拆分过程变得更为简便和便宜，可以规模化拆分尼莫地平，具有工业应用价值。
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公开(公告)号：CN111978448B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910433093.X
申请日：2019-05-23
Applicant: 北京大学
IPC: C08F138/00
Abstract: 本发明公开了一类新型的(S)‑2‑乙炔基吡咯烷衍生物及其制备方法与应用。选用N‑叔丁氧羰基‑(S)‑2‑脯氨醛作为反应底物，经过两步有机反应，高效地合成新型脲基修饰乙炔类单体，再通过配位聚合得到螺旋链聚合物。反应路线设计简便，所用原料经济实惠。此类单体可适用于多种聚合方式，聚合条件较为温和。聚合物通过涂覆法制备成高效液相色谱手性固定相，对多种外消旋化合物实现对映体选择性拆分。
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公开(公告)号：CN111978448A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910433093.X
申请日：2019-05-23
Applicant: 北京大学
IPC: C08F138/00
Abstract: 本发明公开了一类新型的(S)-2-乙炔基吡咯烷衍生物及其制备方法与应用。选用N-叔丁氧羰基-(S)-2-脯氨醛作为反应底物，经过两步有机反应，高效地合成新型脲基修饰乙炔类单体，再通过配位聚合得到螺旋链聚合物。反应路线设计简便，所用原料经济实惠。此类单体可适用于多种聚合方式，聚合条件较为温和。聚合物通过涂覆法制备成高效液相色谱手性固定相，对多种外消旋化合物实现对映体选择性拆分。
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公开(公告)号：CN110211867A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910429057.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法，在外延层生长之前预通氨气，对硅衬底进行氮化预处理，在硅衬底上形成一层无定形的氮化硅薄膜，从而形成一个铝原子扩散的壁垒，这个壁垒阻挡了铝原子扩散，从而降低了外延生长后硅衬底的导电能力，使其维持在高阻状态，减小了射频器件工作时候的射频损耗。本发明对硅衬底的通氨气氮化预处理所用时间为秒级，几乎不占用工厂的机时，有利于工业生产控制成本。
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公开(公告)号：CN109206617A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710542082.6
申请日：2017-07-05
Applicant: 北京大学
IPC: C08G77/452 , C07C231/20 , C07C237/06 , B01D9/02
Abstract: 分级结晶是目前工业上拆分外消旋化合物最常用的方法。但是通常情况下，分级结晶产率低，一次操作只能得到一种对映体。我们提出了一种通过单次结晶同时获得两种光学纯对映体的手性拆分新方法。其关键是利用一类“富集型接枝共聚物抑制剂”，其在待拆分化合物的过饱和溶液中能形成纳米尺寸聚集体，在抑制某一构型分子结晶的同时，还对相同构型分子有富集作用，在单元操作的后期生成颜色、晶型、尺寸不同的该化合物晶体。利用该方法，一次结晶就能获得对映体过量值(ee％)均高于92％的两种对映体，产率可达37％。该方法使得外消旋化合物的分级结晶拆分过程变得更为简便和高效，具有工业应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878265A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810714565.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO2层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO2衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长GaN薄膜。由于Si(100)表面重构产生两种悬挂键，导致氮化物生长时晶粒面内取向不一致而不能形成单晶，本发明以非晶SiO2层屏蔽衬底表面的两种悬挂键信息，并由石墨烯提供氮化物外延生长所需的六方模板，外延得到了连续均匀的高质量GaN单晶薄膜，为GaN基器件与Si基器件的整合集成奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN104513391B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310461290.5
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含烯丙氧基芳香族聚酰胺树脂及其制备方法与应用。该含烯丙氧基芳香族聚酰胺树脂，其重复结构单元如式I所示。本发明选用二烯丙氧基二酰卤单体为基本单体，通过与二元芳香伯胺、二元芳香酰卤按比例进行共缩聚，得到不同烯丙氧基含量的一系列新型芳香族聚酰胺树脂。所制备的聚合物的热稳定比较好，同时可以通过烯丙氧基与其它材料进行交联，进而发展出材料界面复合良好的芳香酰胺增强复合材料。
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公开(公告)号：CN104558603B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310502927.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/10
Abstract: 本发明公开了一种合成芳香酰亚胺的方法。该方法包括如下步骤：将由式II所示重复结构单元构成的聚合物在含氧气氛中进行氧化酰亚胺化反应，反应完毕得到所述由式I所示重复结构单元构成的聚合物。该方法将含邻甲基或取代的邻甲基的芳香酰胺结构在含氧气氛中在加热的条件下转化为芳香酰亚胺结构。此法可以用来将含邻甲基结构的芳香族聚酰胺材料直接在空气或含氧气氛中直接转化为芳香族聚酰亚胺材料，以提高材料的耐热性等性质。
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公开(公告)号：CN105466970A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510921283.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104513392A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310461321.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含羟基和烯丙基芳香族聚酰胺树脂及其制备方法与应用。该树脂的重复结构单元如式I所示。本发明将羟基和烯丙基同时引入到芳香族聚酰胺的分子链上，通过烯丙基的双键与其它材料反应形成共价键，通过引入酚羟基来提高芳香族聚酰胺的极性来增强分子链间作用力，同时通过控制两种基团在聚合物中的含量，达到调控芳香族聚酰胺纤维与其它材料的复合能力。本发明提供的式I所示聚合物，热稳定好，羟基和烯丙基易于与环氧树脂、橡胶等相互作用，增加界面粘接性能，有可能作为增强纤维或上浆剂，发展出材料界面复合良好的芳香酰胺增强复合材料。
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