公开(公告)号：CN101853922A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010158789.5

申请日：2010-04-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 高德金 ,  黄如 ,  张丽杰 ,  邝永变 ,  于哲 ,  唐昱 ,  潘越 ,  唐粕人

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。

公开(公告)号：CN101834187A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010147519.4

申请日：2010-04-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐粕人 ,  吴大可 ,  黄如 ,  许晓燕

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式非挥发性存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明的存储器包括一MOS晶体管和一插指型金属互联电容单元；所述插指型金属互联电容单元的内侧插指结构与所述MOS晶体管的栅极连接，构成嵌入式非挥发性存储器的浮栅；所述MOS晶体管的源漏极分别对应为嵌入式非挥发性存储器的源漏极；所述插指型金属互联电容单元的外侧插指结构为嵌入式非挥发性存储器的控制栅。与现有技术相比，本发明提高了编程、擦除速度，降低了操作电压，并提高单元的存储密度和等比例缩小能力，对实现更高速、高存储密度的存储应用中，有着明显优势和广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101582426A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910085131.3

申请日：2009-06-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴大可 ,  唐粕人 ,  黄如 ,  王阳元

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开了一种无电容式DRAM单元及其制备方法，属于挥发性存储器中动态随机存储器技术领域。该DRAM单元包含一在p型掺杂体硅衬底上形成的N型场效应晶体管，该晶体管的沟道上面为栅氧化层和多晶硅栅，该晶体管的沟道两端分别连接n+源和n+漏，n+源和n+漏外侧的大部分有L型绝缘层包围，在沟道下方有一n掺杂层，该层的顶部距离硅表面的距离小于L型绝缘层的底部距离硅表面的距离，该层底部距离硅表面的距离大于L型绝缘层的底部距离硅表面的距离，从而将n掺杂层上方p型掺杂区域和n掺杂层下方的p型掺杂衬底隔开。本发明基于体硅衬底制备，无需SOI衬底，通过L型绝缘层使电位浮置的体区和源/漏的接触面积减小，提高体区存储空穴的保持能力。