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公开(公告)号：CN118884607A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN117784291B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B1/00 , G01N21/3563
Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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公开(公告)号：CN118676239A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN117748297B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568948.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种长波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层；有源层包含多个级联周期，单个级联周期包括势垒层、第一深阱层、三个晶格匹配的浅阱层、三个复合阱层和第二深阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和AlAs高势垒层；三个晶格匹配的浅阱层包括第一浅阱层、第二浅阱层和第三浅阱层；三个复合阱层包括第一复合阱层、第二复合阱层和第三复合阱层。本发明引用单周期有源区设计中引入特定复合比的复合阶梯阱来实现不同波长激射的设计思想，结合晶格匹配和应变平衡体系的优点，在势垒嵌套AlAs高势垒，设计出较了高增益的能带结构，在能带方面提升长波红外量子级联激光器输出功率。
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公开(公告)号：CN117747687B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568685.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118392825A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410323959.2
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本申请涉及片上单模光波导测量领域，公开了一种片上单模光波导有效折射率的测量方法，包括以下步骤：S1、提供一个测量系统；S2、输入光，并获取两个马赫曾德干涉结构的归一化光谱；S3、在相同波段内，记录光谱中多个连续波谷的波长值；S4、确定第一马赫曾德干涉结构第一个波谷的级次系数K；S5、利用级次系数K，构建第一和第二散点集，并计算对应的有效折射率；S6、对相同K取值时的第一和第二散点集进行合并，并进行曲线拟合；S7、通过比较不同K值时的曲线拟合度，确定最高拟合度对应的K值。本发明能够高效地确定片上单模波导有效折射率的实际值和干涉光谱中波谷的级次，解决了片上单模波导有效折射率难以准确测量的问题。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN115732594B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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公开(公告)号：CN117826307A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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公开(公告)号：CN116736447A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310760672.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种光波导器件及硅光调制器，属于光波导领域，光波导器件包括总线波导、矩形波导及微环；矩形波导固定在总线波导上；矩形波导用于在总线波导中产生相位差；微环与矩形波导相对应，且微环与总线波导之间具有设定的耦合间隙；总线波导上对应微环及矩形波导的区域为耦合区域；输入光场从总线波导的输入端口输入，经耦合区域时耦合入微环谐振腔进行谐振，再从总线波导的输出端口输出。硅光调制器在光波导器件的基础上增加了金属电极、直流电源及光谱仪，金属电极设置在光波导器件的微环上；直流电源用于改变金属电极的电压值，以调制光强。本发明能够使每个共振波长都具有非对称性，提高了光波导器件的性能。
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