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公开(公告)号:CN115641494B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202211315084.9
申请日:2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06V10/82 , G06V30/19 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供了一种基于微环调制器的神经网络图像处理系统,包括:阵列的多个激光器,以及多个全通型微环,每个激光器连接的每个全通型微环的输入端,其中,通过对每个所述全通型微环施加恒定电压,使输出的光强值与待处理图像的像素值成正比;每个全通型微环的输出端通过波分复用器连接至分插复用型微环的输入端,分插复用微环的输出端连接至平衡探测器,将分插复用微环输出的光信号转换成电信号并进行乘法运算,其中,通过对分插复用微环施加恒定电压,使分插复用微环的输入信号的光强值与输出信号的光强值成对应比值,比值为卷积核的参数值;平衡探测器连接至跨阻放大器。本发明极大的提高了图像处理过程中的运算速度。
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公开(公告)号:CN116565055A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310309844.3
申请日:2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/107 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双色红外雪崩光电探测器,包括:衬底,在衬底上依次外延生长的长波通道接触层、长波通道倍增层、长波通道电荷层、长波通道渐变层、长波通道吸收层和中长波通道接触层;在中长波通道接触层上依次外延生长的中波通道吸收层、中波通道渐变层、中波通道电荷层、中波通道倍增层和中波通道接触层;中波通道接触层上制备第一电极,中长波通道接触层上制备第二电极,长波通道接触层上制备第三电极。本发明采用两个PN结构造,每个PN结对应一个吸收波段,并采用合理的吸收区材料使得对应波段性能达到最佳,实现中波和长波的高灵敏低噪声的探测。
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公开(公告)号:CN115910750A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211306994.0
申请日:2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法,所述制备方法包括如下方法步骤:在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层;在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层;在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层;其中,所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10‑12nm,生长温度为300‑310℃。本发明通过在较低温度下生长较薄的GaSb低温缓冲层后,采用高温生长GaSb单晶薄膜,优化衬底生长温度、束流比、薄膜厚度的手段,采用低温高温相结合生长GaSb的方式,解决由于外延层和衬底存在较大的晶格失配导致表面相对粗糙且形成“V”形凹坑的难点。
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公开(公告)号:CN115764541A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211315091.9
申请日:2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于光学相控阵阵列的量子级联激光器,所述量子级联激光器包括:基片,在所述基片上集成种子激光器和光学相控阵阵列,所述光学相控阵阵列,将所述种子激光器发出的激光分成多路激光;所述光学相控阵阵列的前端设置可调相光放大器,对多路激光单独进行调相。本发明能够通过阵列结构放大种子激光器输出功率,并且改善光束质量。
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公开(公告)号:CN115641494A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211315084.9
申请日:2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06V10/82 , G06V30/19 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供了一种基于微环调制器的神经网络图像处理系统,包括:阵列的多个激光器,以及多个全通型微环,每个激光器连接的每个全通型微环的输入端,其中,通过对每个所述全通型微环施加恒定电压,使输出的光强值与待处理图像的像素值成正比;每个全通型微环的输出端通过波分复用器连接至分插复用型微环的输入端,分插复用微环的输出端连接至平衡探测器,将分插复用微环输出的光信号转换成电信号并进行乘法运算,其中,通过对分插复用微环施加恒定电压,使分插复用微环的输入信号的光强值与输出信号的光强值成对应比值,比值为卷积核的参数值;平衡探测器连接至跨阻放大器。本发明极大的提高了图像处理过程中的运算速度。
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公开(公告)号:CN115632078A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211300933.3
申请日:2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法,包括如下步骤:步骤1、对GaSb(100)衬底进行除气;步骤2、对GaSb(100)衬底进行脱氧处理;步骤3、在465℃的温度下,在GaSb(100)衬底上生长GaSb缓冲层,其中,Sb与Ga的五三束流比为5;步骤4、按照20℃/min降温速率降温至385℃,并在该温度下生长100个周期的InAs/InAsxSb1‑x超晶格,其中,In源炉温度为838.3℃,As源炉温度为380℃,Sb源炉温度为620℃,As与In的五三束流比为6,Sb与In的五三束流比为3.7。本发明通过分子束外延(MBE)的方法,实现了在GaSb衬底上生长高质量的InAs/InAsxSb1‑xⅡ类超晶格结构,超晶格结构由100个周期组成,解决了超晶格应变不平衡的问题。
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公开(公告)号:CN112699917A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011456497.X
申请日:2020-12-11
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种非线性光学卷积神经网络的图像识别方法。针对现有单层光学卷积神经网络对非线性数据特征提取能力不足和分类性能弱的缺点,设计出一种基于Swish激活函数的非线性光学卷积神经网络方法用于图像识别。首先,建立一层光学卷积神经网络模型,包括光学卷积核结构、数量、计算方法和光学特征图;然后,将生成的光学卷积特征图送入Swish激活单元,形成非线性映射;最后,建立多层非线性光学卷积神经网络模型,采用Adam算法对模型参数进行优化。本方法在MNIST手写数字图像数据集上进行实验,结果表明,相比于现有的单层光学卷积神经网络,本发明所提供的方法具有更强的非线性数据可分能力,分类精度高,且计算简便。
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公开(公告)号:CN112636139A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN202011411980.6
申请日:2020-12-04
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明设计一种基于飞秒激光直写制备芯包复合FBG的掺铒光纤激光器,实现了波长可切换的单波长及双波长激光输出。采用飞秒激光透过光纤保护层在纤芯和包层直写的方法在聚酰亚胺涂覆层光纤中实现周期为541nm的复合光纤布拉格光栅刻写,栅区长度3000μm作为选频器件的光栅阵列反射波长分别为1562.85nm、1564.52nm;选用长度为掺铒光纤组合作为激光器增益介质,结合泵浦源、偏振控制器及宽带全反镜构成线形腔光纤激光器,能够实现波长可切换激光输出。
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公开(公告)号:CN115657213B
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202211308251.7
申请日:2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于悬挂芯光纤的光纤光镊探针,包括:悬挂芯探针光纤,所述悬挂芯探针光纤的一端连接光纤光源,另一端形成一个尖端结构;所述悬挂芯探针光纤内具有一个微通道,并且在所述悬挂芯探针光纤内至少包括一根光纤芯;所述尖端结构具有一个平端面,所述微通道和所述光纤芯延伸至所述平端面,当所述光纤光源发出的出射光经所述悬挂芯探针光纤,在所述尖端结构的平端面汇聚形成光学势阱。本发明悬挂芯探针光纤保留了微通道,利用悬挂芯探针光纤的光纤芯与微通道集成的特点同时实现对微粒的捕获与输运两种功能。
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公开(公告)号:CN117748299A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311571423.4
申请日:2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层,量子级联激光器包括InP衬底,以及在InP衬底上制备的有源层,有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层,以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层;势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层;第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层,六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱,可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
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