-
公开(公告)号：CN105070839B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510404590.9
申请日：2015-07-10
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种聚合物太阳能电池，所述聚合物太阳能电池包括自下而上依次叠加的玻璃衬底、阳极层、阳极修饰层、活性层和阴极层，其特征在于，所述活性层与阴极层之间的界面呈互补的峰谷状微纳结构，所述峰谷状微纳结构的峰宽为300～400μm、峰高为20～30nm，并且所述活性层包含聚3‑己基噻吩(P3HT):[6.6]‑C60‑苯基丁酸甲酯(PCBM)和丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)。本发明还提供一种制备聚合物太阳能电池的简单方法。所述微纳结构扩大了阴极与活性层材料的接触界面，提高了电极对电荷的收集效率，改善了聚合物太阳能电池的效率。
-
公开(公告)号：CN105336859A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510629158.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: H01L51/0591 , H01L51/0003
Abstract: 本发明涉及一种有机小分子薄膜电双稳器件及其制作方法，包括：由上至下依次设置的电极层、功能层、导电层、基底，基底、导电层、功能层、电极层顺次相连；导电层为聚甲基丙烯酸甲酯的薄膜，功能层是三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱(III)的薄膜；或：导电层为真空蒸镀的二氧化硅，功能层是三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱(III)的薄膜。本发明，器件可以通过外加偏压来调节其导电状态，在同一电压下器件电流会有不同的效果，样品器件的电流差最大达到了104倍；同时，通过施加周期性的电压脉冲信号对器件进行“写入、读取、擦除、读取”的循环测试，以检验器件的重复使用能力，样品器件在循环测试中保持了较大的开关比。
-
公开(公告)号：CN105336854A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510629843.2
申请日：2015-09-29
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: H01L51/0591 , H01L51/0001
Abstract: 本发明涉及一种基于全湿法银对称电极聚合物电双稳器件，包括如下步骤：步骤1，将基底层(1)洗涤干净；步骤2，在基底层(1)上湿法制作银电极层(2)；步骤3，在银电极层(2)上湿法制作功能层(3)；步骤4，在功能层(3)上湿法制作上银电极层(4)；制作银电极层(2)与上银电极层(4)在空气环境下完成，制作功能层(3)在空气中或手套箱中完成。本发明所述的基于全湿法银对称电极聚合物电双稳器件，采用全湿法来制备新型银对称电极电双稳器件结构，工艺简单、成本低廉，电双稳态特性良好，流程复杂程度较低，具有广泛的应用前景，可取代以往制作的流程工艺，实现工艺简单化，提高效率。
-
公开(公告)号：CN105336853A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510627162.2
申请日：2015-09-28
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: H01L51/0591 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/004
Abstract: 本发明涉及一种基于聚环氧乙烷和聚3-己基噻吩的电双稳器件及其制备方法。本发明所述的三种不同结构的电双稳器件均由基底、功能层和电极层构成。第一种结构器件的功能层是由PEO和P3HT组成的共混单层，器件最大开关比达103；第二种结构器件的功能层是由P3HT层和PEO层组成的双层，其中P3HT层靠近基底，PEO层靠近电极层，器件最大开关比达104；第三种结构器件的功能层是由PEO层和P3HT层组成的双层，其中PEO层靠近基底，P3HT层靠近电极层，器件最大开关比达104。本发明所述的电双稳器件及其制备方法，制备工艺简单、成本低、柔韧性好、结构多变、器件尺寸小、轻薄方便。
-
公开(公告)号：CN103972390A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410217047.3
申请日：2014-05-21
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: H01L51/5036
Abstract: 本发明属于晶体管器件技术领域，特别涉及一种双极型有机发光场效应晶体管。本发明晶体管由源电极、漏电极、第一发光空穴介入层、第二发光电子介入层、场效应传输层、绝缘层、栅电极和基板构成；本发明使用新型结构，结合了有机发光二极管的发光性能和有机场效应晶体管的电流控制特性，在同一器件中实现两种颜色的光发射，通过电压控制在单一器件中同时实现对发光颜色和强度的控制，可以大幅度降低平板显示技术中的电子器件复杂程度，提高集成性，有可能成为下一代显示领域的核心技术。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103956433A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410216919.4
申请日：2014-05-21
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: H01L51/5296
Abstract: 本发明属于晶体管器件技术领域，特别涉及一种单极型有机发光场效应晶体管。本发明晶体管由源电极、漏电极、发光层、场效应传输层、绝缘层、栅电极和基板构成；所述场效应传输层、绝缘层、栅电极和基板顺次接触相连，所述场效应传输层上分别设置发光层和源电极，所述发光层和源电极之间不接触相连，所述发光层上设置漏电极，所述漏电极的面积小于发光层。本发明使用新型结构，结合了有机发光二极管的发光性能和有机场效应晶体管的电流控制特性，用一个器件同时实现对电流和发光的控制。使用栅电压来控制源漏电极之间电流的大小，从而达到控制发光强度的目的。本发明可以进一步降低平板显示技术中的电子器件复杂程度，提高显示面板的集成度。
-
公开(公告)号：CN101101972B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710118280.6
申请日：2007-07-04
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在p型硅衬底的一面上蒸镀导电电极形成欧姆接触，并与硅衬底一起作为栅极，然后将无机介电绝缘材料蒸镀到p型硅衬底的另一面上，再将导电源极蒸镀到无机介电绝缘层上，再蒸镀并五苯有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极从而完成场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管由于使用了垂直结构，制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄因而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。有机材料选用并五苯，有利于光的吸收，易得到高性能的场效应光电晶体管。
-
公开(公告)号：CN100589258C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200710100155.2
申请日：2007-06-05
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 垂直构型有机/无机场效应发光管及其制备方法，即在刚性或柔性衬底上蒸镀导电电极作为栅极，然后将无机介电绝缘材料通过电子束蒸发或磁控溅射等方法蒸镀到栅极上，再将导电源极通过掩模板的方法蒸镀到无机介电绝缘层上，再用热蒸发等办法蒸镀有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极完成场效应发光管器件的制备。该有机/无机场效应发光管由于使用了垂直结构，制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄因而可大大提高发光管器件的“开/关”电流比。对于质轻、价廉及可与柔性衬底相兼容的有机材料，更有利于提高有机膜的有序性和场效应迁移率，工作电压低、响应速度快。
-
公开(公告)号：CN101123300A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710122009.X
申请日：2007-09-19
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于超薄有机层的颜色稳定的白光器件及其制备方法，即在ITO玻璃上制备有机空穴传输兼蓝光发光层、超薄的空穴阻挡层、超薄的有机绿光发光层、超薄的有机红光染料掺杂层以及薄的电子传输层和背电极。有机空穴阻挡层能将一部分空穴限制在空穴传输兼发光层中产生激子而发蓝光，利用超薄的空穴阻挡层和有机发光层本身的半透明性调节能量在蓝光发光层、绿光发光层和红光发光层之间能量传递的程度，实现蓝、绿、红三种颜色发光。在适当的红光染料掺杂浓度下，通过优化器件结构可以得到具有超薄有机层的白光器件。该器件具有工作稳定、色坐标稳定、制备工艺简单、效率高和工作电压低等优点。
-
公开(公告)号：CN101101971A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710118279.3
申请日：2007-07-04
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 双面透光的全有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在透明衬底上蒸镀导电电极作为栅极，然后将有机介电绝缘材料制备到透明导电栅极上，再将导电源极蒸镀到有机介电绝缘层上，再蒸镀有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极完成全有机场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管中的介电绝缘层和功能层都是用有机材料，且该光电晶体管使用垂直结构，所以制作简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。该光电晶体管上下两面都可以吸收光照，利于提高器件性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.04 seconds)
