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公开(公告)号：CN102968658A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257255.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明是一种智能卡功耗补偿方法，主要应用于智能卡设计的功耗优化领域，采用合理的功耗补偿机制，使智能卡在进行功耗变化较大的操作时芯片功耗能够平稳过渡，有效解决了功耗突变引起的电源系异常而产生的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN110460345A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910687649.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种超高波特率(VHBR)接收链路参数检测配置的实现方法，其中超高波特率(VHBR)指ISO/IEC 14443协议中规定的数据传输率为1.70Mbit/s、3.39Mbit/s、6.78Mbit/s的波特率。本发明主要针对支持ISO/IEC 14443超高波特率(VHBR)协议非接触或双界面智能卡芯片的设计，利用协议中规定的读卡器(机具)向智能卡发送的数据帧格式特点和数据帧中起始帧(Start of Frame，SOF)及SOF前场强相对稳定的时间段内信号信息。通过参数检测配置方法，对接收链路中电路参数进行自动或非自动方式配置，实现对接收到的调制载波数据进行合理滤波、放大、量化等，以达到正确的解调量化和解码效果。
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公开(公告)号：CN106774599A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611186343.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/575
CPC classification number: G05F1/575
Abstract: 本发明提出了一种可用于智能卡芯片的高电源抑制比的电压调节器电路。为了提高高频的电源抑制比，使用NMOS作为输出级的功率管。同时，本发明提出了一种电源选择电路，保证电压调节器在C类电源条件下也可以正常工作。
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公开(公告)号：CN103913644B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210595917.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: G01R29/08
Abstract: 具备NFC功能的终端设备已经被越来越多的应用，其中的终端设备中大多数属于手持设备，对于应用于手持设备终端的任何芯片模块，其功耗参数都是一个至关重要的约束指标，越低的功耗将为手持设备带来更长的待机、工作时间。NFC设备中用到的NFC芯片，一个必不可少的功能电路是精确场强检测电路，本文提出一种NFC芯片中零功耗的精确场强检测方法，大大降低了NFC芯片场强检测模块的功耗，提高了手持等便携NFC设备的待机、工作时间。
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公开(公告)号：CN102968657A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257248.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了提高ISO/IEC 14443 TYPEA型高频非接触智能卡的兼容性，芯片设计需要完全符合或高于协议中规定的各个指标，在ISO/IEC 14443 TYPEA型非接智能卡标准中对于FDT(Frame Delay Time)参数的约束比较严格：误差范围要求[FDT-1/fc，FDT+0.4us+1/fc]、此处fc＝13.56MHz，对于芯片设计实现有较大的难度。本发明提供了一种实现FDT精确计时的方法，通过FDT参数计时的精确实现，可以大大提高卡片与读卡器的兼容性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102968655A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110255705.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。
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公开(公告)号：CN110490015A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910575251.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明是一种提升能够支持ISO/IEC14443协议中超高波特率(VHBR)的智能卡与机具通信兼容性的方法，因为超高波特率(VHBR)从读卡器向非接触或双界面智能卡发送调制信号采用的是幅度调制方式、且编码方式属于非归零码(NRZ)，非接触或双界面智能卡需要较好的恢复得到信号的幅度、以及脉宽信息，才能够保证正确的解调、解码；而实际上不同的读卡器由于收发芯片、以及外围匹配电路的不同，所发送的调制信号会有较大差异，即读卡器所发射的调制幅度、脉宽信息必然存在一定的波动范围，甚至在个别情况下超出协议，所以非接触或双界面智能卡在超高波特率信号解调解码的兼容性方面成为难点。本发明提出了一种有效兼容各种读卡器所发射的调制信号包络波形的解调、解码方法，从而能够显著提升超高波特率(VHBR)通信的兼容性。
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公开(公告)号：CN103915830B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210595901.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 出于稳定电源的目的，芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路，该放电通路能够在电源发生突然增大时，给电源放电，减弱或消除电源的异常变化，增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路，既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电，又能够提升芯片的ESD性能。
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公开(公告)号：CN102968657B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110257248.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了提高ISO/IEC 14443 TYPEA型高频非接触智能卡的兼容性，芯片设计需要完全符合或高于协议中规定的各个指标，在ISO/IEC 14443 TYPEA型非接智能卡标准中对于FDT(Frame Delay Time)参数的约束比较严格：误差范围要求[FDT-1/fc，FDT+0.4us+1/fc]、此处fc＝13.56MHz，对于芯片设计实现有较大的难度。本发明提供了一种实现FDT精确计时的方法，通过FDT参数计时的精确实现，可以大大提高卡片与读卡器的兼容性能。
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公开(公告)号：CN105528633A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510404286.4
申请日：2015-07-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明提供了一种用于非接触芯片的频率自适应调节装置，包括：电源电压检测电路以及时钟门控电路；电源电压检测电路，用于监测芯片电源电压，电源电压高于检测电压阈值，输出高电平，否则，输出低电平；时钟门控电路，根据电源电压检测电路输出信号控制芯片的工作频率。本发明还提供了一种用于非接触芯片的频率自适应调节方法，采用本发明所述的方法和装置，可以实现芯片工作频率与当前场强自适应，充分利用当前场强。
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