公开(公告)号：CN112149065B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202010974976.4

申请日：2020-09-16

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘宏梅 ,  仲倩黎 ,  郝玮琳

IPC: G06F21/12

Abstract: 本发明涉及一种软件防御故障注入的方法，包括：通过随机执行一段应用正常命令流程以掩盖安全防御措施的起始位置，通过将在软件执行实际安全防御操作上累加随机芯片CPU指令操作或者电流操作的掩盖安全防御措施功耗，通过审计数据冗余存储、审计数据不使用掉电机制而是直接写入到目的地址、上电恢复通过审计数据与备份数据中的较大的值进行恢复的方式确保了防御措施实施的有效性。本发明所提供的软件防御故障注入的方法，能有效防御错误注入，提升产品的安全防御能力。

公开(公告)号：CN116661910A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310962898.X

申请日：2023-08-01

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘宏梅 ,  高景阳

IPC: G06F9/448 ,  G06F9/455

Abstract: 本说明书公开了一种应用调用的方法及装置。首先，获取目标应用模块的应用代码对应的WebAssembly字节码。其次，从全局线性内存空间中为目标应用模块分配线性内存子空间，将应用代码中的各变量存放到线性内存子空间。而后，在目标应用模块调用其他应用模块的目标函数的过程中，将目标应用模块的参数存放到虚拟机栈。读取虚拟机栈中的参数输入给目标函数，若确定参数为线性内存子空间的偏移量，则按照线性内存子空间的偏移量，从线性内存子空间中读取与参数对应的变量的取值。最后，根据与参数对应的变量的取值，执行针对目标函数的函数调用。本方法可以在各应用模块之间传递正确的参数，并降低内存资源的消耗。

公开(公告)号：CN109165115A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810665139.6

申请日：2018-06-26

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 刘宏梅 ,  陈峰 ,  仲倩黎

IPC: G06F11/10 ,  G06F12/02

Abstract: 本发明介绍一种增强FLASH存储器可靠性的方法,涉及应对上层应用对FLASH存储器页的访问请求，通过建立FLASH映射表,在映射表中查找访问页对应的实际地址，访问该实际地址；访问后，检查硬件提供的ECC校验寄存器，如果该寄存器的值为0，则表示访问成功；如果该寄存器的值为1，则表示存在ECC1bit错误并被纠错，此错误作为换页条件，进行换页操作。换页时，在映射表中按规则找到可用冗余区的页地址，如果冗余区耗尽，FLASH存储器可靠性失效，否则使用该冗余区,并更新FLASH映射表信息，完成换页操作。本发明介绍的方法，可以通过建立FLASH映射表,配置FLASH存储器冗余区大小，动态提升FLASH存储器的可靠性，解决不同用户对FLASH存储器可靠性的需求，提高开发效率。

公开(公告)号：CN101364321A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200710119975.6

申请日：2007-08-06

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 李昕 ,  刘宏梅

IPC: G07F7/08

Abstract: 本发明涉及一种使用非接触式智能卡进行电子钱包操作的方法，尤其是涉及一种在非接触式智能卡中，同时存在逻辑加密卡和CPU卡钱包，对电子钱包内的钱包数据进行充值、扣款时，保障两个钱包数据一致性的操作方法。