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公开(公告)号：CN117721423A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311667918.7
申请日：2023-12-05
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开一种高致密度难熔金属多主元合金靶材及其制备与应用，包括以下步骤：S1.将高熔点金属粉体加入至有机溶剂中，再加入分散剂及粘接剂后，球磨，得有机浆料；高熔点金属粉体的熔点大于等于1907℃，高熔点金属粉体中的元素种类大于等于4种；S2.将有机浆料进行带式浇筑、烘干定型后，切片，得到薄膜片；S3.将薄膜片进行排胶，得到排胶薄膜；S4.在真空气氛下，将排胶薄膜利用放电等离子烧结技术进行致密化，即得高致密度难熔金属多主元合金靶材；采用球磨、带式浇筑、放电等离子烧结的工艺流程，有效提升难熔金属多主元合金靶材的致密度及纯度，其制备过程中实现化学计量比准确可控的特点。
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公开(公告)号：CN115611242B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202211220580.6
申请日：2022-10-08
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及金属氮化物技术领域，尤其涉及一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法。这种制备方法，包括以下步骤：使用电弧熔炼的方法将原料熔炼，制得难熔金属高熵合金块体；所述原料包括至少四种难熔金属；对所述难熔金属高熵合金块体进行氮化处理，得到难熔金属高熵氮化物粉体。本申请能够获得单一物相的难熔金属高熵氮化物粉体，而非二元或者三元氮化物的混合物，且各元素分布均匀，纯度高。
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公开(公告)号：CN112853139B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110063393.0
申请日：2021-01-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种铁铝系金属间化合物多孔材料的制备方法，利用粉末烧结及由此引起的原位多重去合金效应制备。该方法以铁粉、铝镁合金粉和镁粉为原料，通过对压坯进行多段升温和保温，协同利用以下两种方法在高真空环境中制备：1）铝镁合金粉在烧结过程中形成的低温瞬时液相与元素铁粉反应，实现铁铝系金属间化合物的低温形成，同时产生原位液相脱合金造孔效应；2）镁组元升华或挥发引发的气相脱合金造孔。铝镁合金粉末在低温形成的瞬时液相与铁产生的脱合金效应加速了铁铝金属间化合物的形成，缩短了烧结周期，且可避免传统造孔剂对铁铝金属间化合物成分的污染。制得的多孔材料孔径在10~100μm之间，开孔隙率和总孔隙率分别可达50%和60%以上。
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公开(公告)号：CN112081642A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011070469.4
申请日：2020-10-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于赛车排气消声器，包括排气管壳体、总排气管和回压支管，排气管壳体套设于总排气管外，排气管壳体内沿轴向依次分布有多个隔板，隔板将排气管壳体与总排气管之间的空间沿轴向依次分隔成多个腔室，多个腔室分别为第一消音室、扩张室、回压腔室和第二消音室，扩张室和回压腔室之间的扩张室隔板上设有多个通孔，总排气管上依次设有扰流端口和回压支管，扰流端口和回压支管分别布置于扩张室和回压腔室内，总排气管与回压支管的连接处设有阀门。本发明提高赛车在各种转速情况下动力的表现，降低赛车噪声，提高赛车性能。
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公开(公告)号：CN111804917A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010474658.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于元素反应/扩散原理的提升“金属升华造孔法”造孔效率的方法，包括有以下步骤：a.待造孔样品在制备过程中加入一定比例的一种或多种易升华金属造孔元素，制备完成后，将其放进高真空炉的炉膛内；b.在烧结室内安装蒸气吸收载物台，在蒸气吸收载物台上添加压制好的可与升华金属元素反应的反应物；c.在具有高真空度的烧结炉中对样品进行烧结，使样品内部和表面形成孔洞；升华出的金属蒸汽与蒸气吸收载物台上的反应物进行反应，加速反应进程，提高孔隙形成效率，获得高孔隙率的多孔材料。该方法具有工艺过程简单，成本低廉，通用性强等特点，可广泛应用于利用易升华金属元素造孔制备多孔材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119874381A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411949386.0
申请日：2024-12-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化铝陶瓷及其制备方法和应用，该氮化铝陶瓷，包括氮化铝混料和金刚石，氮化铝混料包括氮化铝和氧化钇，其中，氮化铝混料和金刚石的质量比为(12～18):(1.6～4)，氧化钇的质量含量为氮化铝混料总质量的1％～5％。本发明提供的氮化铝陶瓷，在特定的含量占比下，利用氧化钇和金刚石同时作为烧结添加剂，一方面利用氧化钇与氧化铝反应生成钇铝酸盐液相，达到促进样品的致密化，净化氮化铝晶格，提高热导率的目的；另一方面利用金刚石改善氧化钇与氧化铝反应生成的二次相问题，同时金刚石自身具有极高的热导率、良好的绝缘性与力学性能，可进一步提升陶瓷制品的整体性能。
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公开(公告)号：CN119187568A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411299749.0
申请日：2024-09-18
Applicant: 中山市武汉理工大学先进工程技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种铁铝系多孔材料的制备方法，具体包括以下步骤：S1选取元素铁粉、元素铝粉和无水碳酸镁粉末三种粉末为原始粉末，之后在真空混料罐中混料，最后将混合均匀的三元粉末模压成型；S2将压制成型的压坯放入管式炉中进行真空烧结,首先以5‑10℃/min的速率升温至500‑600℃并保温2h；该阶段会在铝颗粒周围形成大量的空位，空位的聚集便形成了孔隙；无水碳酸镁在500℃时会受热分解，并进一步增加孔隙率；S3继续以1‑2℃/min的升温速率升温至660‑700℃并保温1h，此阶段，原先由铝颗粒占据的位置全部变为孔隙，孔隙率进一步提高；S4继续以5‑10℃/min的升温速率升温至950‑1100℃并保温2h，通过铁、铝之间进一步的扩散/反应增加孔隙率，同时完成高温相变，实现成分均匀化。
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公开(公告)号：CN118930279A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411218058.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提出了一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法，属于电子封装陶瓷材料领域，在氮化铝陶瓷烧结过程中以氮化铝为原料，加入氢化铒及氧化钇作为复合助剂进行烧结，所述氢化铒粉末及氧化钇粉末按照质量百分比均为烧结所需混合物料的总质量1wt％～5wt％，余量为氮化铝粉末。本发明采用稀土氢化物作为烧结助剂，氢化物分解产生的稀土元素单质可以结合氧化铝中的氧元素，产生的稀土氧化物可以继续与氧化铝反应，稀土氢化物有双重除氧作用，避免氧进入氮化铝晶格形成缺陷，可以有效提高热导率；以氢化铒及氧化钇作为复合烧结助剂可以降低生成铝酸盐液相的共晶线，使液相出现在更低的温度，促进样品的致密度。
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公开(公告)号：CN118880229A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411139479.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C14/02
Abstract: 本发明属于涂层制备技术领域，具体涉及一种提高基体与PVD涂层结合力的方法，具体包括，先将基体进行抛光处理，再采用微波等离子体对基体表面进行刻蚀预处理，使得基体表面具备纳微级别的凹槽或凹坑结构，然后在刻蚀预处理后的基体表面沉积PVD涂层，最后获得高结合力的PVD涂层。该方法不仅能够提高基体表面的比表面积，增加涂层与基体之间的接触面积，形成机械锚固作用，而且通过微波等离子体刻蚀预处理的方法可去除基体表面氧化物，提高涂层与基体之间的结合力。该方法适用于工程实践领域，可以延长PVD涂层的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112458438B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202011417101.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C28/00
Abstract: 本发明提供一种铬基氮化物梯度复合涂层结构及其原位制备方法。其结构包括镀在基体表面的铬缓冲层和沉积在铬缓冲层表面的铬基氮化物梯度层。将镀有铬缓冲层的基体置于微波等离子体化学气相沉积设备，通过调节含氮气体量以及微波功率，利用N等离子体团与铬离子的反应快速生成铬基氮化物层。在微波对金属微区表面的趋肤效应、氮化物陶瓷层透射损耗以及金属基体的反射效应的协同作用下，产生热量‑温度梯度，使反应活性由陶瓷‑铬缓冲层的界面前沿向残余铬缓冲层纵深不断衰减，实现化学反应和速率的梯度变化，从而获得结构和成分呈连续梯度分布的铬基氮化物涂层。所得的连续梯度结构能够显著降低层间应力，提高涂层的力学性能，降低涂层摩擦系数。
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