公开(公告)号：CN106795647B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201580046406.6

申请日：2015-08-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之 ,  高野清隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。

公开(公告)号：CN110036143A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201780075050.8

申请日：2017-11-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 菅原孝世 ,  星亮二

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

Abstract: 本发明是一种单晶硅制造方法，当对原料融液施加磁场并利用切克劳斯基法提拉单晶硅时，设定单晶硅的提拉直径为300mm以上，设定单晶硅的生长轴取向为＜111＞，设定单晶硅的提拉直径为D[mm]，设定原料融液表面的中心磁场强度为M[Gauss]，设定单晶硅的旋转速度为R[rpm]，以满足1096/D-(0.134×M+80×R)/D＞0.7的关系的方式进行单晶硅的生长。由此，能够制造宏观上的RRG分布及微观上的电阻率变动良好的＜111＞结晶。

公开(公告)号：CN105900220B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201580003982.2

申请日：2015-01-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过在氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。

公开(公告)号：CN105917449A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004474.6

申请日：2015-01-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B33/02 ,  C01B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。

公开(公告)号：CN105900220A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580003982.2

申请日：2015-01-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过在氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。

公开(公告)号：CN105247115A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480030832.6

申请日：2014-05-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  德江润也 ,  星亮二 ,  布施川泉

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/305 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。