公开(公告)号：CN102630342B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080053854.6

申请日：2010-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板野哲也 ,  山崎和男 ,  远藤信之 ,  渡边杏平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/369

CPC classification number: H04N5/361 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/3742

Abstract: 来自传输晶体管的暗电流被抑制，并且第二半导体基板中的电源电压被降低。一种固态图像拾取装置包括：像素阵列、接收从多个像素读出的信号的多个公共输出线、顺序驱动多个传输晶体管的传输扫描单元、处理输出给公共信号线的信号的信号处理单元，和使提供给传输晶体管的栅极的脉冲的幅度大于提供给构成信号处理单元的晶体管的栅极的脉冲的幅度的电平移动单元。像素阵列和电平移动单元被布置在第一半导体基板上，而多个公共输出线和信号处理单元被布置在第二半导体基板上。

公开(公告)号：CN102254923B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110128547.6

申请日：2011-05-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边杏平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明涉及制造电子器件的方法，包括：形成材料层；在材料层上形成防光晕层；在防光晕层上形成抗蚀剂层；通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化，来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案；通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形，来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层；以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理，以去除掩模层和防光晕层，并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列，其中，防光晕层减少曝光步骤中的光晕。

公开(公告)号：CN102656693A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080056461.0

申请日：2010-12-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山崎和男 ,  板野哲也 ,  远藤信之 ,  渡边杏平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1465

Abstract: 固态图像拾取装置包括包含光电转换单元、FD和传送晶体管的像素区域、复位晶体管、放大器晶体管和用于将基准电压供给至光电转换单元的基准电压供给线。在所述装置中，像素区域和基准电压供给线被设置在第一半导体基板上，并且，至少复位晶体管或放大器晶体管被设置在第二半导体基板上。并且，用于将电压供给至基准电压供给线的电源线被设置在第二半导体基板上。所述装置还包括电连接基准电压供给线与电源线的第二电连接单元。第一电连接单元被设置在像素区域中，而第二电连接单元被设置在像素区域之外。

公开(公告)号：CN102254923A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110128547.6

申请日：2011-05-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边杏平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明涉及制造电子器件的方法，包括：形成材料层；在材料层上形成防光晕层；在防光晕层上形成抗蚀剂层；通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化，来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案；通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形，来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层；以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理，以去除掩模层和防光晕层，并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列，其中，防光晕层减少曝光步骤中的光晕。