公开(公告)号：CN101118919A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710143752.3

申请日：2007-08-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板野哲也 ,  高桥秀和 ,  滝本俊介 ,  虻川浩太郎 ,  成濑裕章 ,  西村茂 ,  板桥政次

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。