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公开(公告)号：CN101569014A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001214.3
申请日：2008-08-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/41 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/0495 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66143 , H01L29/66212
Abstract: 一种肖特基势垒二极管(1)，包括：GaN自支撑衬底(2)，其具有表面(2a)；GaN外延层(3)，其形成在表面(2a)上；以及绝缘层(4)，其形成在GaN外延层(3)的表面(3a)上，并且在其上形成开口。肖特基势垒二极管(1)还提供有电极(5)。电极(5)由肖特基电极和场板电极构成，所述肖特基电极被形成在开口内，以使其与GaN外延层(3)接触，所述场板电极连接到肖特基电极并且被形成为与绝缘层(4)重叠。GaN自支撑衬底(2)的位错密度是1×108cm－2或更少。
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公开(公告)号：CN1969388A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200680000348.4
申请日：2006-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/47 , H01L21/205 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/2003 , H01L29/8611 , H01L29/872
Abstract: 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。
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公开(公告)号：CN1624944A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN1547767A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03800627.8
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(12、12)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。
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公开(公告)号：CN113584593B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202110717986.4
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111032930B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201780094136.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在
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公开(公告)号：CN111032930A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780094136.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
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公开(公告)号：CN106574398B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201580040883.1
申请日：2015-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
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公开(公告)号：CN104835852B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510063849.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。
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公开(公告)号：CN106574398A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580040883.1
申请日：2015-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/406 , C30B29/38 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/04 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
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