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公开(公告)号：CN113584593A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110717986.4
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
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公开(公告)号：CN113235162A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110359932.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B11/00 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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公开(公告)号：CN113215662A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110362301.9
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110325672A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201780087442.6
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。
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公开(公告)号：CN113235162B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110359932.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B11/00 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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公开(公告)号：CN113584593B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202110717986.4
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
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公开(公告)号：CN111032930B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201780094136.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在
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公开(公告)号：CN111902573A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091881.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种砷化镓单晶，其包含具有圆柱形状的直体部，其中在外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝向中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种砷化镓单晶基板，其中在外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝向中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。
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