单晶金刚石及其制造方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111133134A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880060767.X

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石,所述单晶金刚石包含:在观察表面中观察到的杂质总浓度不同的n种类型的区域,所述观察表面与(110)面平行并且具有不大于5μm的表面粗糙度Ra,所述观察表面是通过对所述单晶金刚石的表面进行研磨而得到的,其中n为2或3。所述n种类型的区域各自具有不小于0.1μm2的面积。在所述观察表面上的第一条线、第二条线和第三条线中的至少一条与所述n种类型的区域之间的边界交叉至少四次。所述第一条线、所述第二条线和所述第三条线是与 方向平行并且具有1mm长度的线段。所述第一条线的中点对应于所述观察表面的重心。所述第二条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。所述第三条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。

    含有固体碳的材料的加工体、其制造方法和其制造装置

    公开(公告)号:CN111032932A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880052808.0

    申请日:2018-08-13

    Abstract: 一种含有固体碳的材料的加工体的制造方法,所述方法包括:准备所述含有固体碳的材料的步骤,所述含有固体碳的材料由至少具有含有固体碳的表面的材料构成;形成气相流体的步骤,所述气相流体含有对所述固体碳具有活性的活性气体或活性等离子体中的至少一种;和通过将所述气相流体喷射到所述含有固体碳的材料的表面的至少一部分上来加工所述含有固体碳的材料的步骤。

    金刚石电子发射器及使用其的电子束源

    公开(公告)号:CN1813329A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200480018499.3

    申请日:2004-09-15

    CPC classification number: H01J1/304 H01J1/308 H01J2237/06325 H01J2237/3175

    Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件,其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件,可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量,并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地,将光发射器件与阴极形成一个单元,同样优选地,光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外,优选地,阴极的电子发射面是n-或p-型金刚石半导体。

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