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公开(公告)号：CN116609897B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310893682.2
申请日：2023-07-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法，该封装结构由芯片、转接板芯片和PCB构成；其芯片上有交替连接的植球焊盘和导线；转接板芯片上有交替连接的BGA、倒装焊接焊盘和引线键合焊盘及导线；转接板上的引线键合焊盘用来验证引线键合连通率；芯片和转接板之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；其转接板和PCB通过BGA形成菊花链，并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；该结构有2048个端口，通过线路和结构的设计，最大可以满足256×256规模光交换芯片封装的技术开发和验证，降低光交换芯片电学封装的成本，提高了芯片封装验证效率和设计开发周期。
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公开(公告)号：CN116931172A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311199267.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种偏振无关的模斑转换器，该模斑转换器包括：上层波导和下层波导，上层波导设置于下层波导的上方，上层波导和下层波导之间设有绝缘层；在上层波导和下层波导上下重叠的部分处，上层波导设置至少两段波导；下层波导设置至少两段与上层波导对应的波导；其中，一段波导的参数基于第一模式光而设置，另一段波导的参数基于第二模式光而设置。采用上述结构的模斑转换器能够将不同模式的光分别耦合，使模斑转换器具备偏振无关特性，改善模场失配问题。
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公开(公告)号：CN116844981A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310917971.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供一种芯片堆叠结构的焊接方法及芯片堆叠结构。其中，该芯片堆叠结构的焊接方法包括：在芯片的一侧形成第一焊球；令芯片靠近第一焊球的一侧倒装焊接于转接板上；令转接板远离芯片的一侧通过第二焊球倒装焊接于驱动板上；其中，第二焊球包括支撑核以及包覆支撑核的导电支撑壳，支撑核的熔点远大于导电支撑壳和第一焊球的熔点，导电支撑壳的熔点小于第一焊球的熔点。可实现，当导电支撑壳熔化以焊接固定转接板和驱动板之间的同时，可保证支撑核不被熔化以实现对转接板、芯片的有效支撑，避免第二焊球坍塌导致芯片焊盘短路从而影响芯片寿命和封装体系的可靠性。另外该方法可保证后续步骤中的操作不影响前续步骤，可提高焊接的可靠性。
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公开(公告)号：CN116643350A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310931892.6
申请日：2023-07-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请涉及一种端面耦合器及光芯片系统。其中，端面耦合器包括：耦合波导。所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合。所述耦合波导包括至少两段耦合段。随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小。随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向。沿所述第一方向，所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同。所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致。根据本申请实施例，可以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。
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公开(公告)号：CN116165753B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310418377.8
申请日：2023-04-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种光芯片、芯片封装结构及封装性能检测方法，包括导电柱、基板以及设置于所述基板正面的光学端口，所述基板上开设有通孔，所述导电柱填充在所述通孔内，且所述导电柱的两个端部分别位于所述基板的正面和背面，所述导电柱在所述基板正面的端部为检测端口，所述导电柱在所述基板背面的端口为通讯端口。针对较大尺寸的光芯片，通讯端口可以和扇出板正对直接键合，实现光芯片和扇出板的电连接，而光学端口和检测端口则位于基板背离扇出板的一侧，由此也就使光学端口可以直接与基板上方的光纤阵列进行耦合，不会受到基板的阻挡，同时实现了光学端口和通讯端口的封装，由此也避免了在扇出板上进行开窗或者改变扇出板形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115826134A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211627632.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法。首先，层间耦合器包括：硅衬底、二氧化硅包层、硅波导层、氮化硅层。硅长方体位于层间耦合器的一端，混合结构与硅长方体相连接，混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成，亚波长光栅结构与混合结构相连接，亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成，且远离硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近硅长方体的硅波导块的尺寸，氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构，氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端，氮化硅结构与氮化硅长方体相连接，氮化硅结构中的远离氮化硅长方体的横截面积小于靠近氮化硅长方体的横截面积。本方法可以降低功率泄露，从而，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN116643354B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310931917.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种模斑转换器的设计方法。该设计方法包括：构建模斑转换器的轮廓函数；基于模斑转换器的轮廓函数来建立模斑转换器的模型；在模斑转换器的第一侧和第二侧分别连接输入波导和输出波导，其中，输入波导的宽度大于输出波导的宽度；在输入波导处设有模式光源，用于发出预定输入功率的光；在输出波导处设有功率监视器，用于监测输出波导的输出功率；以模斑转换器的传输效率为优化目标，通过仿真优化方法来对轮廓函数中的各项参数不断地进行迭代优化以最终得到各项参数的最优解，模斑转换器的传输效率等于输出功率与输入功率的比值；及将得到的各项参数的最优解代入到轮廓函数中以设计得到模斑转换器。因此可缩短模斑转换器的长度。
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公开(公告)号：CN117038599A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311285989.0
申请日：2023-10-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供一种芯片封装结构及封装方法。其中，该芯片封装结构包括基板、第一重布线层、填充层、第二重布线层和金属凸点。基板包括相对的第一面和第二面，基板的第一面与外围芯片电连接。第一重布线层设置于基板的第二面上。填充层设置于第一重布线层远离基板的一侧，填充层内设有依次层叠的第一芯片和第二芯片以及至少部分包围第一芯片和第二芯片的填充体。第二重布线层设置于填充层远离基板的一侧。第一芯片通过第一重布线层、基板与外围芯片电连接。金属凸点设置于第二重布线层远离填充层的一侧，用于将电性引出。可实现适用于多功能或不同尺寸、且I/O数较多的芯片，因此可在减小封装尺寸、节约成本的基础上实现更多的端口互连和通信。
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公开(公告)号：CN116859522A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311107122.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法。其中，光栅耦合器包括：衬底与耦合波导。耦合波导位于衬底上。耦合波导包括光栅波导部与包覆部，光栅波导部位于包覆部内。光栅波导部包括光栅栅齿，光栅栅齿的开口方向背向衬底。衬底包括衬底部、导光部与隔离槽。在衬底所在的平面上，衬底部与隔离槽相邻，隔离槽与导光部相邻，隔离槽位于导光部与衬底部之间，且衬底部围绕隔离槽，隔离槽围绕导光部。导光部用于将入射至导光部的光以无发散的形式引导至光栅栅齿。根据本申请实施例，可以在具备制备工艺简单且制备成本低的优点，及避免对衬底强度造成较大影响的前提下，提升光栅耦合器的耦合效率。
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