-
公开(公告)号：CN105225977A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510738820.5
申请日：2015-11-03
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/11 , H01L24/10
Abstract: 本发明提供一种铜柱凸块结构的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一晶圆级芯片基体，在其表面形成凸块下金属层；S2：形成一光阻层，并形成若干光阻层开口；S3：形成塑封层；S4：采用微压印方法在所述塑封层中形成若干塑封层开口；S5：在所述塑封层开口内自下而上依次形成铜柱及锡基金属合金柱；S6：去除所述光阻层及所述塑封层；S7：去除所述铜柱周围多余的所述凸块下金属层，并进行回流工艺使所述锡基金属合金柱形成锡基金属合金帽。本发明采用塑封层材料代替了厚光阻层，并采用微压印方法在所述塑封层中形成铜柱凸块图形，其中，微压印方法形成图形与光学问题无关，从而可以显著减小特征尺寸偏移，使得特征尺寸更加精确，并降低了工艺复杂性。
-
公开(公告)号：CN205595309U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620413831.6
申请日：2016-05-09
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型提供一种用于堆叠式封装的铜针结构，包括：欲制备铜柱凸块的结构；以及铜针结构，通过焊接固定连接于所述欲制备铜柱凸块的结构之上，各铜针的位置与欲制备铜柱凸块位置相对应，所述铜针结构的各铜针成型后插置并焊接固定于所述欲制备铜柱凸块的结构之上。本实用新型将预先制备好的铜针直接插入至芯片或封装结构需要制作铜柱凸块的位置，以代替传统采用电镀制作铜柱的工艺，节省了工艺时间和工艺成本，提高了铜引脚封装堆栈的能力。本实用新型可实现多层的有源电子设备的垂直整合，由于不需要采用电镀等工艺，降低了工艺需求及其影响，可提高POP堆叠式封装结构的堆叠能力以及性能。本实用新型也可有效利用在PCB基板，TSV等技术中。
-
公开(公告)号：CN207852727U
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201721889096.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块；发光二极管芯片，装设于所述重新布线层的第二面上，其中，所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层；导线，连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面，以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接；以及荧光材料，包围于所述发光二极管芯片及所述导线。本实用新型的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构，封装密度高，可有效降低封装体积，本实用新型具有良好的散热效果，可大大提高芯片的耐用性能及寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207165556U
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201720531295.4
申请日：2017-05-15
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105
Abstract: 本实用新型提供一种重新布线层及具有所述重新布线层的封装结构，所述重新布线层至少包括：介电层；金属叠层结构，位于所述介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；金属种子层，位于所述介电层内，且位于所述金属叠层结构的一表面上，所述金属种子层的材料与所述金属线层的材料相同。本实用新型的重新布线层采用与其材料相同的单一材料作为种子层，在对种子层进行刻蚀时不存在侧切现象，所述重新布线层中金属线的线宽及线间距均比较小；将所述重新布线层应用于封装结构中时，在相同的尺寸内可以得到更多的供电轨道。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN206758424U
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201720473077.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本实用新型提供一种封装结构，该封装结构包括设置于再布线层底面的第一金属垫和第二金属垫；将底面至少分隔为第一区域和第二区域的分隔层；第一区域包括部分第一金属垫的底面，第二区域包括第一金属垫的剩余底面和第二金属垫底面的部分或全部；设置于第一区域、与第一金属垫电连接的导电部；设置于第二区域，一端与第一金属垫电连接、另一端与第二金属垫电连接的供电模块；固定封装供电模块和导电部的塑封层。通过将元件封装在一个封装体，供电模块直接与水平或垂直方向的用电模块电连接，无需绕线，有效减少传输距离和寄生电阻，进而提高供电效率；而且，本实用新型采用高深宽比的导电部，进一步提高信号传输效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206412351U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720028551.8
申请日：2017-01-11
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/00 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型提供一种集成供电系统的封装件，包括：用电系统裸芯和位于用电系统裸芯下方的供电系统裸芯；所述供电系统裸芯包括有源模块、无源模块和再布线层，有源模块和无源模块封装成型，再布线层位于封装成型的有源模块和无源模块之上，实现有源模块和无源模块之间电连接，并提供多条对接用电系统裸芯的供电轨道；所述用电系统裸芯与多条所述供电轨道对接，并封装固定在所述再布线层上；外部电源直接通过所述供电系统裸芯向所述用电系统裸芯供电。本实用新型通过使用三维芯片堆叠技术，提高了电力输送效率，增加了不同电压轨道的可用数量。
-
公开(公告)号：CN206040642U
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201620859975.4
申请日：2016-08-09
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/96 , H01L2924/18162
Abstract: 本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装件，裸芯片，所述裸芯片具有接触焊盘；载体，所述载体上设有沟槽，所述裸芯片卡持在所述沟槽中；成型复合物，覆盖所述裸芯片的背面并填充在所述沟槽中；再布线层，位于所述裸芯片的正面之上，与所述裸芯片的接触焊盘电连接；金属凸块，位于所述再布线层上，通过所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接。本实用新型利用载体沟槽的卡位作用固定裸芯片，避免或减少了封装过程中裸芯片的位移，使封装件可以具有更窄的器件焊盘间隙和更高的输入输出数；并且可以提高产品良率和产量，减小再布线层的线宽和线距，缩小封装尺寸，降低成本。
-
公开(公告)号：CN204885143U
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201520670333.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本实用新型提供一种凸块结构及封装组件，所述凸块结构包括：导电柱，所述导电柱的顶部形成有凹面；覆盖层，所述覆盖层覆盖所述导电柱的顶部；焊料层，所述焊料层位于所述凹面内的所述覆盖层上。通过在导电柱的顶部设置凹面，并将焊料层设置于所述凹面内，使得所述焊料层在倒装芯片回流工艺后，即使在高温条件下，所述焊料层会被限制在所述凹面内，不会从其原有的位置凸出至所述导电柱的两侧，可以有效地避免相邻焊料层相接触发生短路；本实用新型可以使得倒装芯片封装件的尺寸更小、更轻，进而降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN207852728U
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201721889098.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构，包括：透明基底，具有引出焊盘；金属引线，连接于引出焊盘上，金属引线向上延伸；发光二极管芯片，装设于引出焊盘上，以实现发光二极管芯片的电性引出；荧光材料层，位于发光二极管芯片与透明基底之间；封装材料，覆盖于发光二极管芯片，且金属引线露出于封装材料；以及凸点下金属层及金属凸块，形成于封装材料上，以实现金属引线的电性引出。本实用新型的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构，封装密度高，可有效降低封装体积。本实用新型具有良好的散热效果，可大大提高了芯片的耐用性能及寿命。本实用新型的引线结构简约，可有效缩短线路的长度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN205582933U
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201620076472.X
申请日：2016-01-26
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种双面扇出型晶圆级封装结构，包括基底、第一重新布线层、第二重新布线层、通孔电极、第一器件、第一电极凸块、第一固化材料、第二器件、第二电极凸块以及第二固化材料，所述第一、第二重新布线层通过通孔电极连接，各电极露出于固化材料表面。本实用新型通过制作电极通孔实现双面器件的互连，并可实现多层封装结构的垂直互连，实现不同电子设备功能；重新布线层制作于芯片附着之前，避免芯片移位；将结构粘合于载体上，避免结构翘曲；用电极凸块作为互连引出，为多种不同器件的集成提供了保证；通过控制固化材料的厚度来控制电极凸块的引出，节省了固化材料的研磨工艺；通过双面扇出型封装，大大提高器件的集成度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.04 seconds)
