一种无汽蚀低噪音的凝汽器抽真空节能装置

    公开(公告)号:CN105202937B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201510654776.X

    申请日:2015-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种无汽蚀低噪音的凝汽器抽真空节能装置,包括吸气管路、手动阀、气动蝶阀、变频高压差干式罗茨泵、自动调节喷淋装置、冷凝器、破真空装置、变频锥体双级泵、分离器、冷凝器、恒压变频控制装置、静音机箱、止回阀,在凝汽器内部气量无规律变化、环境温度升高时,能自动调节抽速与压缩比,防止系统跳闸停机或备用泵启动,提高系统可靠性,降低能耗,防止汽蚀和意外停机返水,解决结垢问题,有效降低噪音污染。

    一种多晶硅铸锭的两步退火工艺

    公开(公告)号:CN106087052A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610653106.0

    申请日:2016-08-10

    CPC classification number: C30B29/06 C30B33/02

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭的两步退火工艺,包括以下步骤:将硅原料经铸锭工艺中的加热、熔化、长晶工序处理后进行第一次退火,将铸锭炉的加热温度由1395℃~1405℃逐渐降至1230℃~1285℃,降温时间为40min~60min,并保温90min~120min;通过降低加热功率及关闭隔热板对经第一次退火后的硅锭进行降温处理,再进行第二次退火,将铸锭炉的加热温度由1230℃~1285℃逐渐降至1100℃~1130℃,降温时间为30min~60min,并保温60min~120min,然后进行后续工序。本方法显著提高硅锭质量,降低切片过程中的碎片、缺角、崩边、裂纹比例,提高硅片出片数,减少了生产周期,提高了生产效率,有效降低了生产成本。

    一种切削液在线分离回用装置

    公开(公告)号:CN104667611A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510035489.0

    申请日:2015-01-22

    Abstract: 本发明属于机械加工领域,具体涉及一种切削液在线分离回用装置,包括设置有出屑口和排液管的外壳,外壳内设置有分离装置,分离装置分别与驱动装置、用于接收金属屑的接料装置相连接;分离装置包括外筒,和设置在外筒内的筛筒,外筒与筛筒之间留有间隙并设置有传动轴承;筛筒与驱动装置相连接;外壳内设置有固定安装板,外筒与驱动装置均固定在固定安装板上。本装置实现切削液与金属屑的快速、高效分离,并能够将回收的切屑液回收再利用,可降低人力、运输、废液处理等运行成本,提高切削液的利用率,降低生产成本。并且本装置体积小,能够与现有设置无缝对接,不影响原有设备的工作方式及物流方式,可有效防止废液抛洒,减少环境污染。

    一种电镀生产线控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN108829068A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810873646.9

    申请日:2018-08-02

    Abstract: 本发明公开一种电镀生产线控制系统及控制方法,包括工控机、交换机、控制器、激光测距装置、检测传感器及执行机构;控制器接收工控机中不同电镀生产工艺流程指令进行调节并执行,还用于接收激光测距装置采集的行车位置信号及检测传感器采集的性能参数信号,进行综合处理运算,以确定工位中心位置、计算出工位两侧减速位置及减速区域,并将激光测距装置传来的数据进行处理转换与目标数据进行比较,从而对行车运动的方向进行判定并控制。该系统能够适用于不同情况下工艺流程的任意调节,同时满足现在既有的功能。

    一种制备InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法

    公开(公告)号:CN106206880B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201610793902.4

    申请日:2016-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种制备高性能InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法,分别以蓝氨、高纯三甲基铟以及高纯三甲基镓为N、In、Ga源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂,包括如下步骤:1、氮化氮化蓝宝石、SiC或Si衬底;2、生长缓冲层并使缓冲层结晶后,再生长uGaN成核层;3、先生长低Si掺杂的n‑GaN层,再生长高Si掺杂的n+GaN层;4、生长n‑AlGaN层,5、生长Si掺杂的n+GaN层,再生长不掺Si的nGaN层;6、生长3个周期的不掺杂Al的InGaN/GaN超晶格,再生长8个周期Al掺杂的InGaN/AlGaN;7、生长PAlGaN层;8、生长Mg掺杂的P+GaN层;9、生长高Mg掺杂的P++GaN层;本发明利用LP MOCVD系统生长特定结构的InGaN/AlGaN MQW紫光LED外延片,具有制备成本低、节约时间且制备的紫外光LED性能好,推进了紫光LED外延的产业化。

    一种吸水箱变频抽真空环保装置

    公开(公告)号:CN107151936A

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201710419683.8

    申请日:2017-06-06

    CPC classification number: D21F1/48 F17D1/00

    Abstract: 本发明公开了一种吸水箱变频抽真空环保装置,包括过滤装置、变频罗茨真空装置、压力平衡阀和消音器,过滤装置的一端通过吸气管路连接托辊机,另一端通过阀门与设置在所述变频罗茨真空装置进气口的微量喷淋喷咀连接,所述变频罗茨真空装置的排气口通过所述压力平衡阀连接有用于降低噪音的消音器,所述过滤装置、变频罗茨真空装置、压力平衡阀和消音器均设置在能够吸收基频谐波的静音机箱内构成一体化环保装置。本发明静音机箱能降低装置瞬间的震动幅度,实现降噪到72分贝以下,变频罗茨真空装置抽速快,不易受环境温度影响,可加快吸水箱抽真空速度;所述装置抽速最大的特点,提高了工作效率,装机功率可降到传统设备的50‑60%,环保节能。

    一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺

    公开(公告)号:CN106191995A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610653489.1

    申请日:2016-08-10

    CPC classification number: C30B28/06 C30B29/06

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺,其特征在于,将铸锭炉从室温加热到1550~1555℃,熔化后期测量留底籽晶厚度,调整顶部和侧部加热器功率比,通过慢熔确保底部籽晶不被熔化,当熔化完成后,调整顶部和侧部加热器功率比,降低到1440~1445℃开始进行定向凝固并进入长晶过程,在长晶的过程中温度由1440~1445℃降低到1400~1405℃,完成长晶过程。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好,能对多晶硅铸锭长晶过程进行合理控制,并有效提高多晶硅铸锭质量。

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