公开(公告)号：CN106087052A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610653106.0

申请日：2016-08-10

Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司

Inventor： 田伟 ,  刘波波 ,  田进 ,  赵俊 ,  贺利乐

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭的两步退火工艺，包括以下步骤：将硅原料经铸锭工艺中的加热、熔化、长晶工序处理后进行第一次退火，将铸锭炉的加热温度由1395℃～1405℃逐渐降至1230℃～1285℃，降温时间为40min～60min，并保温90min～120min；通过降低加热功率及关闭隔热板对经第一次退火后的硅锭进行降温处理，再进行第二次退火，将铸锭炉的加热温度由1230℃～1285℃逐渐降至1100℃～1130℃，降温时间为30min～60min，并保温60min～120min，然后进行后续工序。本方法显著提高硅锭质量，降低切片过程中的碎片、缺角、崩边、裂纹比例，提高硅片出片数，减少了生产周期，提高了生产效率，有效降低了生产成本。