一种用于毫米波功率计的自平衡电桥电路

    公开(公告)号:CN112067873A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010745009.0

    申请日:2020-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种用于毫米波功率计的自平衡电桥电路,包括参考电阻、热敏电阻和比较模块,所述参考电阻和所述热敏电阻分别与所述比较模块连接,所述热敏电阻设置在所述毫米波功率计芯片上用以检测芯片的工作温度,所述比较模块包括第一运算放大器、第一二极管,第一三极管,第二运算放大器、第二二极管和第二三极管,本发明的参考电阻和热敏电阻采用四线连接,其中两线用于提供环路电流,另两线用于电阻两端电压测量,从而减小引线电阻带来的影响至忽略不计,参数调节方便,仅需通过改变电容大小来改变平衡速度,无需调节其他电容电感。

    微波功率计中校准信号源反射系数测量方法

    公开(公告)号:CN106405463B

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201610804858.2

    申请日:2016-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种微波功率计中校准信号源反射系数测量方法,包括:根据信号源的反射系数、信号源传输至无反射负载的功率、负载的反射系数、信号源的反射系数的相角和负载的反射系数的相角得到负载入射功率的一般表达式;通过负载入射功率的一般表达式,并将信号源的反射系数的相角和负载的反射系数的相角之和调整第一预设角度、第二预设角度以得到负载输入功率的第一表达式、负载输入功率的第二表达式;联立负载入射功率的一般表达式、负载输入功率的第一表达式和负载输入功率的第二表达式得到信号源的反射系数。本发明具有如下优点:通过特定相移条件下校准源功率量值的测量确定其反射系数。

    功率传感器
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108508265A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201710892260.8

    申请日:2017-09-27

    Abstract: 一种功率传感器。所述功率传感器包括层叠设置的导电吸收层、绝缘层和温阻层。所述绝缘层夹设于所述导电吸收层和所述温阻层之间。所述绝缘层具有相对设置的第一表面和第二表面。所述导电吸收层设置于所述第一表面。所述温阻层设置于所述第二表面。

    微波功率计中校准信号源反射系数测量方法

    公开(公告)号:CN106405463A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610804858.2

    申请日:2016-09-05

    CPC classification number: G01R35/005

    Abstract: 本发明公开了一种微波功率计中校准信号源反射系数测量方法,包括:根据信号源的反射系数、信号源传输至无反射负载的功率、负载的反射系数、信号源的反射系数的相角和负载的反射系数的相角得到负载入射功率的一般表达式;通过负载入射功率的一般表达式,并将信号源的反射系数的相角和负载的反射系数的相角之和调整第一预设角度、第二预设角度以得到负载输入功率的第一表达式、负载输入功率的第二表达式;联立负载入射功率的一般表达式、负载输入功率的第一表达式和负载输入功率的第二表达式得到信号源的反射系数。本发明具有如下优点:通过特定相移条件下校准源功率量值的测量确定其反射系数。

    双负载功率传感器
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105785114A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610237631.4

    申请日:2016-04-15

    CPC classification number: G01R21/02

    Abstract: 本发明公开了一种双负载功率传感器,包括:波导法兰,波导法兰上设有两个安装孔,其中一个安装孔经过波导法兰的中心;两个波导支臂,每个波导支臂的一端分别插设在对应的安装孔内,每个波导支臂的另一端的端面形成为相对于波导法兰的轴向倾斜延伸的斜面;两个吸波体,两个吸波体一一对应设置在两个斜面上,其中经过波导法兰的中心的一个波导支臂和对应的吸波体形成为工作端,另一个波导支臂和对应的吸波体形成为参考端,每个吸波体分别包括层叠设置的吸波层、第一绝缘层、电路层、第二绝缘层和屏蔽层,吸波层与斜面接触,电路层上设有热敏电阻。根据本发明实施例的双负载功率传感器,宽带匹配性好,吸波性能好,驻波比小,环境适应性好。

    一种基于热补偿的传感器
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111880001B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202010904316.9

    申请日:2020-09-01

    Abstract: 本发明属于太赫兹功率测量技术领域,提供了一种基于热补偿的传感器,所述传感器在内部新增设置了补偿端,其中工作端和补偿端具有相同的波导结构和传感芯片,并且在补偿端和工作端之间增加了包围着第一波导和第二波导的第一铜片和第二铜片作为热短路结构;因此,使工作端和补偿端的传感芯片具有相同的热结构,从而对于环境温度变化具有相同的响应,则可以通过补偿端的直流偏置功率变化得到任意时刻工作端的初始直流偏置功率,从而根据补偿端的直流偏置功率变化与工作端的初始直流偏置功率的对应关系,对工作端的初始直流偏置功率进行补偿,降低因温度变化等因素而导致对太赫兹功率测量的误差,从而可提高太赫兹功率测量的精确度。

    一种射频大功率校准直接测量法的校准因子估算修正方法

    公开(公告)号:CN119471532A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202510045075.X

    申请日:2025-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种射频大功率校准直接测量法的校准因子估算修正方法,包括接收射频大功率信号,计算待修正的定向耦合器的等效源反射系数;将测试端面设置在定向耦合器和被测设备DUT之间检测损耗常数ka;通过实验测得的射频大功率标准示值和被测设备DUT的功率示值对直接测量方法的校准因子的估算进行修正。本发明避免直接测量法的校准因子在较高频率下误差较大的情况,减小在较高频率下带来的测量误差,从而提高射频定向功率传感器在较高频率环境下的大功率测量的精确度。

    一种基于高温超导的太赫兹S参数测量系统

    公开(公告)号:CN119044632A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411163150.4

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于高温超导的太赫兹S参数测量系统,包括开关、射频源、定向耦合器、本振源、功分器、高温超导前端、低温低噪声放大器、微波接收器、信号处理器和显示器。其中高温超导前端可以对来自本振源和射频源的本振信号和射频信号进行混频,产生参考中频信号或被测中频信号,再经过低温低噪声放大器放大后进入微波接收器进行功率调节、下变频与采样等,最后由信号处理器处理得到S参数,由显示器显示出来。由于高温超导前端的转换增益和噪声性能比半导体前端优越很多,而低温低噪声放大器可以对信号功率放大,同时保持噪声性能基本不变,并抑制后续其他器件对测量系统噪声温度的贡献,从而实现低噪声温度的太赫兹S参数测量系统设计。

    一种片上微波功率精密测量方法及其系统

    公开(公告)号:CN117031116A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310993606.9

    申请日:2023-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种片上微波功率精密测量方法及其系统,包括检测芯片,计算模块,DC源,微波信号源、探针台和电压表,所述微波信号源的输出端和所述DC源的输出端分别与所述探针台的探针连接,所述测试芯片上设置有热电偶和共面波导线,所述测试芯片包括量热芯片和短路芯片,所述探针的输出端通过所述共面波导线与所述测试芯片的输入端连接,所述测试芯片的输出端通过所述热电偶与所述电压表的信号输入端连接,所述电压表的输出端与所述计算模块连接;本发明无需测量和修正探针的插入损耗,采用量热方式直接测量探针端口的功率,避免了测量过程中带来的误差,提高功率测量的准确性。

    一种基于微量热计的低频测温修正方法

    公开(公告)号:CN113295921B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202110453498.7

    申请日:2021-04-26

    Abstract: 本发明涉及功率测量技术领域,提出了一种基于微量热计的低频测温修正方法,在用微量热计测量功率传感器的温升时,通过在加入射频信号前后向功率传感器施加低频信号,由于加入低频信号时功率传感器产生的温升与施加的低频信号的功率成固定比例关系,因此可以计算施加低频信号时的温度基线,然后用前后两段低频信号的温度基线的平均值获得加入射频功率时的基线值,从而可以计算加入射频功率时的温度基线,因前后两段低频信号的温度基线的测量时间短,可有效减小环境温度漂移对实验结果的影响,减小由于温度变化带来的测量误差,从而获得准确的温升,提高了微量热计在复杂温度环境下的功率测量精度。

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