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公开(公告)号：CN109900750A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910272086.6
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种提高基于MoS2薄膜场效应晶体管型气体传感器灵敏度的结构设计方法。该结构包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层和源、漏、栅极。本发明衬底材料为硅，其上引出栅电极。沟道有源层为MoS2量子点薄膜。在源、漏极电极区域上加入二维材料(2D)C3N，与MoS2构成异质结，减小了肖特基势垒高度。异质结上方沉积有源电极和漏电极，材料为金。绝缘层材料为SiO2，通过在表面设计纳米级波纹和波峰，来诱导局部应变场，与常规器件相比，薄膜内载流子迁移率增加了两个数量级。当被测气体分子接触到量子点薄膜会使其内部载流子浓度发生变化，通过电压调控会使多数载流子进行定向传输，形成回路电流，通过气体前后电流值的变化，达到检测低浓度气体的作用。
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公开(公告)号：CN115327513B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210802261.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01S7/497
Abstract: 本申请提供一种远距离超分辨三维成像测试装置，远距离超分辨三维成像系统包括激光器、收发同轴光路部和探测器，测试装置包括：三维分辨率板，光纤，设置在激光器至探测器之间的光路中，用于增加激光器至探测器之间的光程，实现室内远距离；平行光管，设置在三维分辨率板和收发同轴光路部之间的光路中，用于将通过收发同轴光路部的光束聚焦在三维分辨率板，并接收自三维分辨率板返回的回波光信号，回波光信号通过平行光管进入收发同轴光路部；处理器，基于Fisher信息理论，对探测器采集的光强分布数据进行处理，获得Fisher信息值，根据Fisher信息值评价远距离超分辨三维成像系统的轴向分辨率。
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公开(公告)号：CN116678867A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310659140.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种痕量检测水样中汞离子浓度的毛细管SERS传感器，该技术将以贵金属纳米材料为基础，通过对石英管内表面进行功能化修饰，构建能与汞离子特异性结合的拉曼探针，实现对水环境中汞离子的高灵敏、高选择性检测。本发明的SERS传感器可在室温下完成整个制备过程，操作简单且成本低廉。此外，该传感器对汞离子的检测限低至1pM，能够应用于实际水环境中汞离子的检测，并具有良好的回收率(90.2‑106.9％)。该传感器具有优良的检测性能，在未来实现快速现场污染物检测方面具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN110742575B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911039102.3
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种便携式眼科OCT医疗诊断的多功能VR眼镜，所述VR眼镜包括用于实现OCT医疗诊断的检测系统，该系统以超辐射发光二极管(SLD)作为光源，通过系统的光学传感单元对用户眼球实现深度分辨传感，待测信号与参考信号经过光电探测器后输出三维图像信号至智能手机，智能手机对信号预处理后通过图像重建清晰显示视网膜细微结构。本发明中OCT医疗诊断系统可拆卸组装，避免光源间串扰，保证了VR眼镜常规功能的使用，有效解决当前OCT系统庞大，造价昂贵等问题，具有体积小，经济高效的特点。
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公开(公告)号：CN109900750B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910272086.6
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种提高基于MoS2薄膜场效应晶体管型气体传感器灵敏度的结构设计方法。该结构包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层和源、漏、栅极。本发明衬底材料为硅，其上引出栅电极。沟道有源层为MoS2量子点薄膜。在源、漏极电极区域上加入二维材料(2D)C3N，与MoS2构成异质结，减小了肖特基势垒高度。异质结上方沉积有源电极和漏电极，材料为金。绝缘层材料为SiO2，通过在表面设计纳米级波纹和波峰，来诱导局部应变场，与常规器件相比，薄膜内载流子迁移率增加了两个数量级。当被测气体分子接触到量子点薄膜会使其内部载流子浓度发生变化，通过电压调控会使多数载流子进行定向传输，形成回路电流，通过气体前后电流值的变化，达到检测低浓度气体的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112730483A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110203399.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N23/18
Abstract: 本发明公开了一种电缆无损检测装置，包括X射线发射单元，用于向待测的电缆发出X射线，产生X射线穿透区域；探测单元，设置在所述待测的电缆后方，用于接受由所述X射线发射单元发出的X射线，该探测单元包括闪烁晶体阵列层和硅光电倍增管阵列层，所述闪烁晶体阵列层包括多个闪烁晶体，每个所述闪烁晶体被配置为在所述X射线激发下能够产生光子，所述硅光电倍增管阵列层包括与该闪烁晶体阵列层的每个闪烁晶体一一对应的硅光电倍增管，每个所述硅光电倍增管被配置为当对应的闪烁晶体产生光子时，该硅光电倍增管输出一电流信号；处理器，用于接收和处理所述电流信号，并根据该电流信号生成检测结果。
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公开(公告)号：CN112595955A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011350643.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 一种量子芯片检测治具，包括用于接触量子芯片引脚的探针阵列，用于对所述探针阵列输入/输出信号的单探针总线，以及连接在所述探针阵列和所述单探针总线之间的第一信号调制/解调器，利用多路复用信号技术，通过一个探针总线将测试信号传递给探针阵列，配合可以调节的测试电极，使得对应不同尺寸以及不同引脚数量的量子芯片，都可以放在本发明的测试系统进行测试，具有测试通用性强的特点，而且由于测试电极在测试时与探针之间不存在互相移动，因此测试过程的稳定性高。同时，本发明还提出了一种检测系统，应用上述检测治具。
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公开(公告)号：CN109945986A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910255272.9
申请日：2019-04-01
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明公开了一种纳米级分辨率集成光学量子温度计。所述光学量子温度计包括分光检测装置、量子温度感应腔。在特定波长激光激发下，根据SiC晶体产生交叉弛豫(CR)现象时其光致发光(PL)强度显著变化的物理现象，确定CR位置与对应的磁场强度。温度变化1mK时，会导致数nT的磁场频移变化，据此确定不同温度分别对应的CR位置及其磁场强度，构建磁场中CR位置与温度的校准曲线，通过宏/微驱动定位平台实现纳米级空间分辨率，由上位机检测显示PL强度变化得到SiC晶体的CR位置并根据校准曲线获得待测样品材料的温度分布图。本发明基于SiC的自旋和CR现象，空间分辨率达到纳米级，实现了10mK/Hz1/2的温度测量精度，构建了集成光学量子温度计，易于工程化应用。
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公开(公告)号：CN109782572A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910116017.6
申请日：2019-02-15
Applicant: 中国计量大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种芯片级原子钟原子气室的MEMS制作方法，通过化学反应腔体和原子气室腔体的分离，每一个原子气室腔体都有相对应的冷却小室的陶瓷冷却片的设计，可以使得生产出的每个原子气室碱性原子含量分布均匀且满足CPT共振需求，原子气室透光率大大提高，从而提升原子气室的成品率与CPT共振信号的强度。在本发明中对原子气室的退火工艺也使得刚刚生产出来的原子气室每小时的相对频率漂移从原来的10-7-10-8数量级下降到10-11-10-12数量级，使得芯片原子钟工作更加稳定可靠。
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公开(公告)号：CN117170205A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311099178.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种单像素成像装置及成像方法，该单像素成像装置包括：光源模块、超表面圆盘、单像素探测器和处理模块。超表面圆盘具有转动自由度，超表面圆盘上设置有用于对激光进行调制并生成哈达玛的超表面，超表面围绕超表面圆盘的轴线设置，在超表面圆盘转动时，激光能够照射于不同的超表面上以形成相应的哈达玛，单像素成像装置能够获取哈达玛并建立哈达玛光场数据库。单像素探测器用于探测哈达玛照射待测物体后产生携带有待测物体的信息的光波的光强，处理模块根据光强和哈达玛光场数据库进行计算得到待测物体的图像。通过上述设置，提高了单像素成像装置的空间光调制速率，且降低了单像素探测器的采样速率要求。
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