微通道板型光电倍增管脉冲饱和恢复特性测试装置及方法

    公开(公告)号:CN119247084A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411361362.3

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明涉及光电倍增管测试装置及方法,具体涉及一种微通道板型光电倍增管脉冲饱和恢复特性测试装置及方法,解决了现有的MCP‑PMT脉冲饱和恢复特性测试装置与实际应用需求不符,无法评估不同饱和深度和不同恢复程度下的脉冲饱和恢复特性的技术问题。本发明利用在暗箱环境中的激光二极管和光衰减片,以及脉冲信号发生器、功分器、合路器、高压源、数字化仪和数据处理单元对MCP‑PMT进行脉冲饱和恢复特性测试,脉冲信号发生器先后产生两路脉宽不同的驱动脉冲信号,与MCP‑PMT工作在线性状态的实际应用需求相符,测量结果可以反映MCP‑PMT在实际应用中的饱和恢复特性,也可以评估MCP‑PMT在不同饱和深度以及不同恢复程度下的脉冲饱和恢复特性。

    一种高集成度高压延迟缓启动装置

    公开(公告)号:CN107834835B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN201711106393.4

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 本发明提供一种高集成度高压延迟缓启动装置,能够简单可靠地实现高压电源的平稳延迟启动,避免高压过冲对光电探测器的损坏。该装置包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管;通过在“高压幅值控制端”和“高压电源”之间加入缓启动电路,其中利用RC充放电、MOS管可变阻值以及光控MOS管的结合,当MOS管Q1栅端为有效高电平,MOS管Q3跟随MOS管Q2状态缓变化,使得光控MOS管中MOS管导通,这时高压幅值控制端被强拉于“地”,随后发光二极管发光逐渐减弱,MOS由导通变为截止,高压幅值控制端缓慢变为有效输入端,则后端高压电源缓慢启动。

    一种紧凑型长序列频域重建超高速成像系统及方法

    公开(公告)号:CN115866382A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211512494.2

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种紧凑型长序列频域重建超高速成像系统及方法,以解决采用多重曝光频域重建技术进行分幅数量较大的视频处理时,系统的复杂性、操作难度增加的技术问题。该系统包括脉冲光源及依次进行信号传输的结构光序列产生单元、高速场景发生单元、图像采集单元、数据处理单元;结构光序列产生单元包括分束衍射光学元件、第一傅里叶透镜、阶梯形延迟线及第二傅里叶透镜;控制单元分别与脉冲光源、图像采集单元相连接。该方法包括:1、脉冲光源发射一个脉冲;2、获得N对具有不同传播延时的光脉冲;3、获得N个正弦条纹结构光脉冲构成的结构光序列;4、获得结构信号光序列叠加图像;5、得到重建的动态场景高速图像。

    一种时间展宽型分幅相机及其成像方法

    公开(公告)号:CN113438390A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110523697.0

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 本发明针对目前行波选通分幅相机受微通道板电子渡越时间弥散制约,时间分辨率最小只能达到60ps,无法满足激光聚变诊断需求的现状,提供一种时间展宽型分幅相机及其成像方法,相机包括真空容器、光学输入窗、行波选通分幅管、光电阴极、栅网、电源系统与线圈;电源系统包括斜坡电源、选通电源与线圈电源;入射光信号透过光学输入窗入射至光电阴极转化为光电子信号,利用斜坡电源在光电阴极和栅网之间形成的微带线结构对光电子信号进行速度色散,经速度色散后的光电子信号在零电势漂移区实现时间展宽,行波选通分幅管对时间展宽后的光电子信号进行成像。可实现小于60ps的时间分辨图像,最快可达到3.3ps,比现有行波选通分幅相机时间分辨能力提高数十倍。

    一种倍增簇集式光电倍增管

    公开(公告)号:CN113299536A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110413181.0

    申请日:2021-04-16

    Abstract: 本发明提供一种倍增簇集式光电倍增管,解决目前提高光电倍增管动态范围方案存在探测死区大、个体性能差异产生测量误差、动态范围难以准确调节的问题。倍增管包括真空容器、光学输入窗、光电阴极、电子倍增系统、阳极系统和供电极,电子倍增系统与光电阴极中心共轴,电子倍增系统包括拼接的多个电子倍增极,每个电子倍增极形成一个电子倍增区,所有电子倍增区电子增益不同;所有电子倍增区所覆盖区域≤光电阴极有效探测区域;阳极系统包括多个阳极,阳极数量与电子倍增极数量相同且位置一一对应;供电极给光电阴极、电子倍增极、阳极供电;供电极通过电极引线与真空容器外部供电系统相连;每个阳极的信号引出线通过金属线与外部电路连接。

    一种采用MEMS工艺制备有机微通道板的方法

    公开(公告)号:CN106206213B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201610565485.8

    申请日:2016-07-18

    Abstract: 本发明提供一种采用MEMS工艺制备有机微通道板的方法,包括以下步骤:采用MEMS工艺制备出具有高深宽比结构的硅基基底;2)采用ALD或化学气相沉积的方法在步骤1)制备的硅基基底上沉积有机物;3)通过机械减薄方式将硅基基底表面多余的有机物去除,露出基底上表面;4)通过化学腐蚀的方式将硅基底去除,形成有机微通道;5)通过原子层沉积工艺在有机微通道内部沉积导电层和二次电子发射层,最终得到有机微通道板。本发明方法制备的有机微通道板具有介电常数低,介电损耗小的有点,能够保证分幅相机中脉冲电压的高幅度和低损耗性能,进而提高分幅相机的增益强度和增益均匀性。

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