一种高温相二硼酸镁晶体及其生长方法和应用

    公开(公告)号:CN117888178A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410202299.2

    申请日:2024-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种高温相二硼酸镁晶体及其生长方法和应用,该方法包括以下步骤:S1、将溶质与助熔剂混合均匀,得到原料混合物;所述溶质为Mg2B2O5粉体;所述助熔剂为Li2WO4粉体;所述溶质和助熔剂的质量含量分别用x1和x2表示,且x1:x2=0.1‑0.5;S2、将原料混合物在玛瑙研钵中研磨混合均匀后装入铂金坩埚,再转移到高温熔盐炉中,于空气气氛下升温至1020‑1080℃使原料混合物完全熔融,恒温24‑32h使熔体反应完全;S3、以0.25‑35℃/天的降温速率降至990‑960℃,待晶体生长完成后退火至室温,取出晶体,洗净烘干,得到透明的高温相二硼酸镁晶体;本发明采用高温助熔剂法,以Li2WO4这种无毒、环保的助熔剂体系,获得大尺寸高温相二硼酸镁晶体,同时赋予T‑Mg2B2O5晶体荧光性能。

    一种晶体材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116005263A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211096365.X

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用,属于光学材料领域。一种晶体材料,所述晶体材料的化学式为4(C3N6H6)·HPF6;所述晶体材料含有π共轭构筑单元;所述π共轭构筑单元为(C3N6)3‑;所述π共轭构筑单元垂直于c轴;所述π共轭构筑单元呈层状排列。该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1042nm下的双折射率为0.247;该双折射晶体材料在200nm~2500nm广谱范围内具有良好的透过率。

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